这是基于单MOSFET作为主要放大元件的耳机放大器原理图。该电路非常简单且易于以最低成本构建。
上图设计仅针对一个通道，只需在一张PCB上构建相同的电路即可成为立体声通道。
该放大器概念很简单，遵循典型的单端 A 类电路，利用有源恒流源 (CCS) 代替无源电阻。与使用无源负载电阻器的情况相比，CCS 使电路的效率提高了一倍，最高可达 25%。
加利福尼亚桑尼维尔 2016 年 9月 21日 Fairchild，现在是安森美半导体的一部分，今天推出了其SuperFET III系列，用于650V N沟道MOSFET，这是该公司新一代的MOSFET，可满足最新的通信、服务器、电动车(EV)充电器和太阳能产品的更高功率密度、系统效率和优越的可靠性要求。 SuperFET III MOSFET系列兼具一流可靠性、低EMI、卓越效率和优异热性能，是高性能应用的理想之选。一流性能之外，该系列还提供了广泛的封装选择，赋予了产品设计者更大的灵活性，特别是对于尺寸受限的设计。 Fairchild高功率工业事业部副总裁兼总经理赵进表示：「无论我们的客户身处何种行业，他们都
系列 /
MagnaChip宣布，公司推出一种新的用于无线耳机的MOSFET，以防止电池过度充电。该MOSFET旨在控制充电电池时流入无线耳机的过多电流，以保护无线耳机免受损坏。 据该公司称，无线亿台，随后的年增长率高达90％。 新型MOSFET旨在通过阻止过多的电压流向充电器来防止损坏无线耳机充电盒的电路，它还支持高达2kV的静电防护，以保护充电安全。除了实施提高无线耳机MOSFET市场份额的策略外，MagnaChip还准备将MOSFET的应用扩展到可穿戴产品中，例如智能手表和VR（虚拟现实）耳机。
引言 对于现代的数据与电信电源系统，更高的系统效率和功率密度已成为核心焦点，因为小型高效的电源系统意味着节省空间和电费账单。 从拓扑的角度来看，同步整流器的传导损耗和开关损耗都更低，能够提高这些转换级的效率，因而是开关模式电源次级端的基本构建模块，在服务器电源或电信整流器等低压及大电流应用中非常流行。如图1所示，它取代了肖特基整流器，可使电压降变得更小。从器件角度来看，过去十年中，功率MOSFET晶体管的进展巨大，催生出了新颖的拓扑和高功率密度电源。20世纪早期平面技术问世之后，中低电压MOSFET迅速被开发出来，利用沟槽栅技术来大幅提高性能。沟槽栅MOSFET是中低电压电源应用的首选功率器件，其把一个栅极结构嵌入到精心蚀
让更高功率密度成可能 /
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都），开发出6款沟槽栅结构※1）SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”产品（650V／1200V耐压），非常适用于要求高效率的服务器用电源、太阳能逆变器及电动汽车的充电站等。 此次新开发的系列产品采用4引脚封装（TO-247-4L），可充分地发挥出SiC MOSFET本身的高速开关性能。与以往3引脚封装（TO-247N）相比，开关损耗可降低约35％，非常有助于进一步降低各种设备的功耗。 另外，罗姆也已开始供应SiC MOSFET评估板“P02SCT3040KR-EVK-001”，该评估板中配置有非常适用于SiC元器件的驱动的ROHM栅极驱动器IC（BM6101FV-
“SCT3xxx xR”系列产品 /
Vishay Siliconix 推出 N沟道TrenchFET®功率
宾夕法尼亚、MALVERN — 2012 年 6 月28 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款8V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiA436DJ。该器件采用占位面积2mm x 2mm的热增强型PowerPAK® SC-70封装，具有N沟道器件中最低的导通电阻。 新的SiA436DJ在4.5V、2.5V、1.8V、1.5V和1.2V下具有9.4mΩ、10.5mΩ、12.5mΩ、18mΩ和36mΩ的超低导通电阻。导通电阻数值比前一代方案最多低18%，比2mm x 2mm占位面积的最接近的N沟道器件最多低64%。 SiA436DJ可用于
大陆规定2018年起本地品牌车厂的电动车出货比重需达到两位数百分点，且要求逐年增长，带动全球电动车市场加速成长，由于电动车、车用电池需求惊人，已让不少关键零组件提前喊缺，其中，高压MOSFET芯片早自2016年便传出供需吃紧，2017年缺货情况仍持续，尽管意法(STMicroelectronics)、英飞凌(Infineon)及恩智浦(NXP)等IDM大厂不断增加产能，然供需缺口仍扩大至30%以上，2018年上半各厂产能已被预订一空，迫使近期全球MOSFET芯片大厂纷在两岸寻求晶圆代工及封测产能支持。 国际模拟IC大厂指出，高压MOSFET芯片解决方案已缺货长达1年多，其实与电动车及车用电池需求高速成长密切相关，供应链业者纷预
摘要：光伏并网发电系统中通常使用宽输入范围的开关电源来为低压微控制器、IGBT驱动器以及LCD供电。文中介绍了一种输入范围为120～800 V，输出为20V／1A的开关隔离电源的设计方法，从而有效地解决了光伏并网发电系统的供电问题。 关键词：开关电源；PWM；变压器；MOSFET 0 引言 根据《太阳能光伏发电系统研制技术协议》的规定，接入太阳能光伏发电系统的电池阵列在最强光照的情况下的开路电压将不能超过750 V，最低不低于120 V。本文介绍的开关电源就是在120～750 V的输入电压范围内能稳定地输出，从而使太阳能光伏并网发电系统能在协议规定的输入范围内稳定地为低压控制器、IGBT驱动器以及LCD供电，并使系统可靠地
全球高性能模拟半导体设计和制造领导厂商Intersil公司日前宣布，推出新系列12V至5V同步整流降压式MOSFET驱动器，为英特尔 VR11.1系统提供业界最高的轻负载效率。 ISL6622和ISL6622A及ISL6622B具有3A的吸收能力，以及快速上升/下降时间，支持高达1MHz的开关频率。这将有助于实现非常高的总体效率。 ISL6622结合了Intersil的VR11.1 PWM控制器和N沟道MOSFET，其先进PWM协议可为先进微处理器提供完整的内核电压稳压器解决方案。 ISL6622有助于实现提高轻负载效率所需PSI模式期间的二极管仿真操作，并通过电感器电流为零时的检测实现非连续导通模式
直播回放：Littelfuse 碳化硅(SiC) MOSFET和肖特基二极管产品介绍及相关应用
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