金融界2025年1月28日消息，国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其制作方法”的专利，公开号CN 119361537 A ，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体结构及其制作方法，包括以下步骤：提供一衬底，于衬底上形成一包括依次层叠的第一阻挡层、第一介质层、第二阻挡层及第三阻挡层的叠层结构，于叠层结构中形成多个间隔设置的互连结构，互连结构与衬底中的半导体器件电连接；于相邻两个互连结构之间的第三阻挡层中形成贯穿孔，贯穿孔底部显露出第二阻挡层且其内壁与互连结构间隔预设距离；形成填充贯穿孔的牺牲层及覆盖牺牲层、第三阻挡层、互连结构上表面的第四阻挡层，并于第四阻挡层中形成底部显露出牺牲层的通孔；基于通孔去除贯穿孔内的牺牲层并于第四阻挡层上表面形成封堵通孔开口的第二介质层。本发明的半导体结构及其制作方法有效降低了互连结构的电阻‑电容延迟。
天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1690740.3918万人民币，实缴资本1607601.0503万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1806次，知识产权方面有商标信息9条，专利信息896条，此外企业还拥有行政许可177个。
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