2025年2月24日晨间，上海证券交易所公告栏更新两条异常波动提示：中芯国际（688981）与华虹半导体（01347）股价分别低开5.3%和7.1%。开盘后15分钟内，两家公司市值合计蒸......

　　随着晶体管数量的持续增长，我们越来越接近硅的物理和热极限。随着晶体管尺寸的缩小，漏电流不断增大，每平方毫米产生的热量也越来越难以消散。近年来，业界已转向先进的封装技术（例如小芯片、3D堆......

　　电源作为电力转换的关键环节，其待机功耗直接影响着能源浪费水平。本文深入解析如何通过初级侧调节反激式拓扑、智能控制策略及器件优化，实现待机功率低于　　反激式拓扑凭借结构简单、成本低廉的优势......

　　IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是一种复合型功率半导体器件，结合了双极型晶体管（BJT）的高电流承载能力和金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）的高输入阻抗与快速开关特性。其核心原理是通......

　　快恢复整流二极管（Fast Recovery Rectifier Diode，简称FRRD）是一种具有快速开关特性的半导体器件，其主要特点是反向恢复时间短、低反向恢复电流，适用于高频电路......