Nexperia推出1200 V SiC肖特基二极管，扩展宽禁带产品组合，赋能大功率基础设施

　　Nexperia今日宣布，在其持续壮大的功率电子器件产品组合中新增两款1200 V、20 A碳化硅(SiC)肖特基二极管。PSC20120J和PSC20120L专为满足工业应用中对超低功耗整流器的需求而设计，可在高能效能量转换场景中发挥关键作用。这类器件尤其适用于高功率人工智能(AI)服务器基础设施和电信设备电源及太阳能逆变器的应用。

　　新款肖特基二极管具备不受温度影响的容性开关和零恢复性能，提供先进的性能以及出色的品质因数(QC x VF)。此外，其开关性能几乎不受电流和开关速度变化的影响。这些器件采用的合并PiN肖特基(MPS)结构带来更多优势，例如凭借高峰值正向电流(IFSM)展现出卓越的浪涌电流耐受能力。这一特性减少了对额外保护电路的需求，显著降低系统复杂度，使工程师能够在高压应用中以更小尺寸实现更高效率。

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　　PSC20120J采用线)表面贴装(SMD)功率塑料封装，而PSC20120L则采用线)通孔功率塑料封装。这些热稳定封装可在高达175℃的工作温度下提升器件在高压应用中的可靠性。作为高品质半导体产品的成熟制造商，Nexperia凭借强大供应链支持的多种半导体技术赢得市场信赖，这进一步为设计者提供了保障。

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