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半导体二极管与三极管的开关特性pptx—CQ9电子-游戏官方网站
半导体二极管与三极管的开关特性pptx
栏目:公司新闻 发布时间:2025-07-29
 ;(1)加正向电压VF时,二极管导通,管压降VD可忽略。二极管相当于一个闭合的开关。; 可见,二极管在电路中表现为一个受外加电压vi控制的开关。当外加电压vi为一脉冲信号时,二极管将随着脉冲电压的变化在“开”态与“关”态之间转换。; 2.动态特性; 1.2 半导体三极管的开关特性; 此时,若调节Rb,则IB,IC,VCE,工作点沿着负载线由A点B点C点D点向上移动。在此期间,三极管工作在放大区

  ;(1)加正向电压VF时,二极管导通,管压降VD可忽略。二极管相当于一个闭合的开关。; 可见,二极管在电路中表现为一个受外加电压vi控制的开关。当外加电压vi为一脉冲信号时,二极管将随着脉冲电压的变化在“开”态与“关”态之间转换。; 2.动态特性; 1.2 半导体三极管的开关特性; 此时,若调节Rb↓,则IB↑,IC↑,VCE↓,工作点沿着负载线由A点→B点→C点→D点向上移动。在此期间,三极管工作在放大区, 其特点为IC=βIB。 三极管工作在放大状态的条件为:发射结正偏,集电结反偏 ; 若再减小Rb,IB会继续增加,但IC已接近于最大值VCC/RC,不会再增加,三极管进入饱和状态。饱和时的VCE电压称为饱和压降VCES,其典型值为:VCES≈0.3V。 三极管工作在饱和状态的电流条件为:IB> IBS 电压条件为:集电结和发射结均正偏 ;三极管的动态特性; ; 用MOS管代替图3.2中的开关S,就得到图3.12所示的MOS管开关电路及其等 效电路。;

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