区，中间有一个结。半导体材料的性质从p型变为n型的结区或过渡区通常非常薄，通常为10-6至 10-4厘米宽取决于浓缩方法。
图1（a）和（b）分别显示了基本生长结二极管的三维和二维视图。图1（c）给出了所有类型通用的pn二极管的电路符号。生长结二极管是通过首先从极纯（杂质小于
1/109）熔融的Ge杂质（或Si），不久后通过大量加入p型的熔融Ge杂质，将杂质从n型变为p型。
因此，形成了一个连续的晶体，该晶体部分是p型的，中间有一个结。这样形成的大晶体被切割成大量小薄片，每个薄片包含一个p区和一个n区，中间有一个结。每个这样的部分都经过抛光和蚀刻以去除表面杂质，然后在棒材的两端沉积非整流（欧姆）电极。最后，将电线焊接到这些端电极上。然后对整个组件进行蚀刻并覆盖防潮润滑脂，安装在合适的机械结构中，然后密封在一个小玻璃信封中，引线穿过脚。不透明涂料通常涂在玻璃外壳的外侧，以排除入射光。
这是通过将一小点或一小块铟（三价）放在n型Ge的薄晶圆上形成的，如图2（a）所示，然后在500的高温下烘烤该组件一小段时间0C.该温度高于铟的熔点，但低于Ge的熔点。然后由于加热，铟点溶解其下方的锗并形成a-饱和溶液。冷却后，饱和溶液以足够的铟含量重结晶，从而将重结晶区域的杂质从n型变为p型。因此，该p型Ge与晶圆的主n型Ge形成pn结。连接引线连接到铟托盘上，形成非整流触点。通过焊接一条或一圈镀金线，进一步与锗晶圆进行非整流接触。图2（b）给出了二极管的截面，而图2（c）给出了三维视图。
然后对整个组件进行蚀刻，覆盖防潮油脂，安装在合适的机械结构中，并密封在一个小玻璃信封中，引线穿过脚。然后将不透明的油漆涂在玻璃灯泡上以避免入射光。
晶圆的整个表面上热生长。这个SiO2然后对层进行光蚀刻以形成掩模，并允许p型扩散通过SiO中的开口2.为了这种扩散目的，将硅晶圆置于1000的熔炉中0C
在高硼浓度的气态气氛中。晶圆表面产生尖锐的杂质浓度梯度，因此硼扩散到硅晶圆中。
在这种高温下（10000C），几个硅原子从它们的晶格位点移出，为杂质原子移动留下空位。再次，一层SiO2在整个晶圆上热生长，光蚀刻和铝接触到p区。晶圆底部的金属层形成n电极。图3显示了扩散PN结二极管的物理结构。
外延生长是指材料在基底（基）材料上的生长，使得如此生长的材料形成保持相同取向的衬底晶体结构的延续。在外延规划器件中，在同一材料的重掺杂衬底上生长了非常薄的（单晶）高杂质硅（或Ge）层。然后，这个完整的结构形成了
图4显示了外延平面二极管的基本结构。碳化硅2在顶面热生长层，光蚀刻，然后与p区域进行铝接触。基板底部的金属层形成连接铅的n电极。该技术广泛用于的制造。
，并做出相应的电极引线，外加管壳密封而成，如图 2.7所示。由于点接触型
，用半导体单晶材料（主要是锗和硅）制成，是半导体器件中最基本的一种器件，是一种具有单方向导电特性的无源半导体器件。 晶体
使用时要反向接入电路中，即正极接电源负极，负极接电源正极。2.光电转换原理根据
是半导体内部n型和p型半导体材料之间的界面或边界。固态电子学的关键之一是P-N
之间等效电阻可变的原理制成的半导体元器件，它一般是采用轴向塑料封装，主要应用于10--1000MHz高频电路或者开关电源电路当中作可调衰减器
影响产生漂移，叫做少子漂移。慢慢的空间电荷区就稳定了。总结来说多子运动叫做扩散运动，少子运动就是漂移运动，当两种运动达到动态平衡就产生了
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