上海华虹宏力取得在沟槽型双层栅结构内集成肖特基二极管的方法专利
栏目：公司新闻 发布时间：2025-06-09
金融界2025年3月29日消息，国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司取得一项名为“一种在沟槽型双层栅结构内集成肖特基二极管的方法”的专利，授权公告号 CN 114496933 B，申请日期为 2022年1月。 天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.77
金融界2025年3月29日消息，国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司取得一项名为“一种在沟槽型双层栅结构内集成肖特基二极管的方法”的专利，授权公告号 CN 114496933 B，申请日期为 2022年1月。
天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币，实缴资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目846次，财产线条，此外企业还拥有行政许可427个。