2025年4月22日，英飞凌宣布推出Cool GaN G5中压晶体管，这是全球首款集成肖特基二极管的工业用氮化镓（GaN）功率晶体管。该产品能提升功率系统性能，减少不必要死区损耗，提高系统效率，简化功率级设计，降低用料成本。
在硬开关应用里，因GaN器件有效体二极管电压（VSD）较大，基于GaN的拓扑结构易产生高功率损耗，若控制器死区时间长，效率会低于目标。目前工程师常用外部肖特基二极管与GaN晶体管并联或缩短死区时间，但都费时费力又增成本。而英飞凌的Cool GaN G5晶体管集成肖特基二极管，能有效解决这些问题，适用于服务器、电信中间总线转换器、DC-DC转换器、USB-C电池充电器同步整流器、高功率电源和电机驱动等场景。
英飞凌科技中压GaN产品线副总裁AntoineJalabert表示：随着GaN技术在功率设计中广泛应用，英飞凌不断改进提升技术，以满足客户需求。集成肖特基二极管的Cool GaN G5晶体管展现了英飞凌以客户为中心的创新和推动宽禁带半导体材料发展的决心。
GaN晶体管因缺乏体二极管，反向传导电压（VRC）受阈值电压（VTH）和关断态下栅极偏置偏压（VGS）影响，且VTH通常高于硅二极管导通电压，反向传导工作时存在劣势。采用新型CoolGaN晶体管后，反向传导损耗降低，与更多高边栅极驱动器兼容，死区时间放宽，控制器兼容性广，设计简化。
首款集成肖特基二极管的GaN晶体管是3x5mmPQFN封装的100V1.5mΩ晶体管。工程样品和目标数据表可按要求提供。
充电头网了解到，英飞凌此次推出的集成肖特基二极管的Cool GaN G5中压晶体管，具备提升功率系统性能、降低损耗、简化设计及降低成本等方面的优势，将助力工程师更从容应对复杂的工业级电源设计挑战，加速氮化镓器件在各类功率转换场景中的普及，为行业迈向高效、紧凑的电源解决方案提供了有力支持，具有里程碑般的意义。