两端加了电压，因此在随后导通的这一段时间内，电感会被充电，电流不断上升，因此在后面
那这种情况下，导通损耗怎么计算呢？我们可以用积分推导的方式求解出来，具体过程如下图：
电容是某一固定电压条件下测试的，实际上电容本身就是电压的函数，而且是非线性变化的，就是说不同电压下，电容不一样。比如下图是
值得一提的是，哪怕我们的工作电压和规格书中标注的电压一致，也没有用，又
，就是我们不知道米勒平台电压是多少，这个也是需要我们根据相关参数推算出来的。
Etr=Et2+Et3=1/2*Vds* Ids_on *(t2+t3)
管的开通损耗和关断损耗，我们把他们加起来，就能得到总的开关损耗了，相关公式汇总如下：
1/6，因此我们可以归一化公式。4、开关损耗归一化公式最终我们我们把公式汇总如下：
除了导通损耗和开关损耗，我们通常还比较关心MOSFET的栅极串联电阻的损耗，因为电阻有额定功率，我们需要根据功率选择合适的封装大小。
给出的公式倒是没什么问题，但是为什么是这样的？我网上找了也没看到有比较信服的理由，所有我又自己推了下。
导通的过程，就是驱动器对栅极电容充电的过程，只不过这个电容是动态变化的，我们化繁为简，假定栅极平均电容为
可以看到，一次开通和一次关断，栅极电阻消耗的功率是相同的，因此我们可以求得总的功率损耗如下图
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