南亚科技申请半导体结构及其制造方法专利改善电容器结构的电阻问题
栏目：行业资讯 发布时间：2026-03-08
金融界2025年8月20日消息，国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法”的专利，公开号CN120512885A，申请日期为2024年04月。 专利摘要显示，本发明的实施例提供一种半导体结构，包括基板、位于基板上的下电极层、位于下电极层上的第一介电层、位于第一介电层上的第二介电层及位于第一介电层和第二介电层中的多个电容器。电容器结构包括位于电容器结构的
金融界2025年8月20日消息，国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法”的专利，公开号CN120512885A，申请日期为2024年04月。
专利摘要显示，本发明的实施例提供一种半导体结构，包括基板、位于基板上的下电极层、位于下电极层上的第一介电层、位于第一介电层上的第二介电层及位于第一介电层和第二介电层中的多个电容器。电容器结构包括位于电容器结构的上部中的密封层、设置于下电极层上方且环绕密封层的侧壁及底表面的第一导电层、设置于下电极层上方且环绕第一导电层的侧壁及底表面的顶部电容板、设置于下电极层上方且环绕顶部电容板的侧壁及底表面的氧化物层及设置于下电极层上且环绕氧化物层的侧壁及底表面的底部电容板。此外，本发明也揭露一种半导体结构的制造方法。