电容器参数的基本公式 1、容量（法拉） 英制： C = ( 0.224 × K ·A) / TD 公制： C = ( 0.0884 × K ·A) / TD 2 、电容器中存储的能量 E = ? CV2 3 、电容器的线性充电量 I = C (dV/dt) 4 、电容的总阻抗（欧姆） Z = √[ RS2 + (XC –XL ) 2 ] 5 、容性电抗（欧姆） XC = 1/(2 πfC) 相位角 Ф 理想电容器：超前当前电压 90o 理想电感器：滞后当前电压 90o 理想电阻器：与当前电压的相位相同 7 、耗散系数 (%) D.F. = tg δ （损耗角） = ESR / XC = (2 πfC)(ESR) 8 、品质因素 Q = cotan δ= 1/ DF 9 、等效串联电阻 ESR （欧姆） ESR = (DF) XC = DF/ 2 πfC 10 、功率消耗 Power Loss = (2 πfCV 2) (DF) 11 、功率因数 PF = sin δ(loss angle) –cos Ф (相位角 ) 12 、均方根 rms = 0.707 × V p 13 、千伏安 KVA （千瓦） KVA = 2 πfCV 2 × 10-3 14 、电容器的温度系数 T.C. = [ (Ct –C25 ) / C25 (Tt –25) ] × 106 15 、容量损耗 (%) CD = [ (C1 –C2) / C1 ] × 100 16 、陶瓷电容的可靠性 L0 / Lt = (Vt / V0 ) X (Tt / T0)Y 17 、串联时的容值 n 个电容串联： 1/C T = 1/C 1 + 1/C 2 + …. + 1/C n T 1 2 1 2 两个电容串联： C = C ·C / (C + C ) 18 、并联时的容值 CT = C1 + C2 + …. + Cn 19 、重复次数（ Againg Rate ） A.R. = % ΔC / decade of time 上述公式中的符号说明如下： K = 介电常数 A = 面积 TD = 绝缘层厚度 V = 电压 t = 时间 RS = 串联电阻 f = 频率 L = 电感感性系数 δ= 损耗角 Ф = 相位角 L0 = 使用寿命 Lt = 试验寿命 Vt = 测试电压 V 0 = 工作电压 Tt = 测试温度 T0 = 工作温度 X , Y = 电压与温度的效应指数。 电容的等效串联电阻 ESR 普遍的观点是：一个等效串联电阻（ ESR）很小的相对较大容量的外部电容能很好 地吸收快速转换时的峰值（纹波）电流。但是，有时这样的选择容易引起稳压器（特别是线 性稳压器 LDO）的不稳定，所以必须合理选择小容量和大容量电容的容值。永远记住，稳压 器就是一个放大器，放大器可能出现的各种情况它都会出现。 由于 DC/DC 转换器的响应速度相对较慢， 输出去耦电容在负载阶跃的初始阶段起主 导的作用， 因此需要额外大容量的电容来减缓相对于 DC/DC 转换器的快速转换， 同时用高频 电容减缓相对于大电容的快速变换。 通常，大容量电容的等效串联电阻应该选择为合适的值， 以便使输出电压的峰值和毛刺在器件的 Dasheet 规定之内。 高频转换中，小容量电容在 0.01 μF 到 0.1 μF 量级就能很好满足要求。表贴陶瓷 电容或者多层陶瓷电容（ MLCC）具有更小的 ESR。另外，在这些容值下，它们的体积和 BOM 成本都比较合理。如果局部低频去耦不充分，则从低频向高频转换时将引起输入电压降低。 电压下降过程可能持续数毫秒，时间长短主要取决于稳压器调节增益和提供较大负载电流的 时间。用 ESR 大的电容并联比用 ESR 恰好那么低的单个电容当然更具成本效益。 然而 , 这需 要你在 PCB 面积、器件数目与成本之间寻求折衷。 电容器的选择及分类 通常，应该如何为我们的电路选择一颗合适的电容呢？应基于以下几点考虑： 1、静电容量； 2、额定耐压； 3、容值误差； 4 、直流偏压下的电容变化量； 5、电容的类型； 6、电容的规格。 那么，是否有捷径可寻呢？其实，电容作为器件的外围元件，几乎每 个器件的 Datasheet 或者 Solutions ，都比较明确地指明了外围元件的选择参 数，也就是说，据此可以获得基本的器件选择要求，然后再进一步完善细化之。 其实选用电容时不仅仅是只看容量和封装， 具体要看产品所使用环境， 特殊的电路必须用特殊的电容。 下面是 chip capacitor 根据电介质的介电常数分类， 介电常数直接影响电 路的稳定性。 NP0 or CH （K 150 ）： 电气性能最稳定，基本上不随温度﹑电压与时间的改变而改变， 适用于对稳定性要求高的高频电路。鉴于 K 值较小，所以在 0402、0603、0805 封装下很难有大容量的电容。如 0603 一般最大的 10nF 以下。 X7R or YB （2000 K 4000 ）： 电气性能较稳定 , 在温度﹑电压与时间改变时性能的变化并不显 著（ ΔC ± 10%）。适用于隔直、偶合、旁路与对容量稳定性要求不太高的全 频鉴电路。 Y5V or YF （K 15000 ）： 容量稳定性较 X7R 差（ ΔC +20% ～ -80% ），容量﹑损耗对温 度、 电压等测试条件较敏感， 但由于其 K 值较大， 所以适用于一些容值要求较高 的场合。 电容的分类 电容的分类方式及种类很多，基于电容的材料特性，其可分为以下几大类： 铝电解电容 电容容量范围为 0.1 μF ～ 22000 μF，高脉动电流、长寿命、大容量 的不二之选，广泛应用于电源滤波、解藕等场合。 薄膜电容 电容容量范围为 0.1pF ～ 10 μF，具有较小公差、较高容量稳定性及 极低的压电效应，因此是 X、Y 安全电容、 EMI/EMC 的首选。 钽电容 电容容量范围为 2.2 μF ～ 560 μF，低等效串联电阻（ ESR）、低等 效串联电感（ ESL）。脉动吸收、瞬态响应及噪声抑制都优于铝电解电容，是高 稳定电源的理想选择。 陶瓷电容 电容容量范围为 0.5pF ～ 100 μF，独特的材料和薄膜技术的结晶， 迎合了当今“更轻、更薄、更节能“的设计理念。 超级电容 电容容量范围为 0.022F ～ 70F ，极高的容值，因此又称做“金电容” 或者 “法拉电容”。主要特点是：超高容值、良好的充 / 放电特性，适合于电能 存储和电源备份。缺点是耐压较低，工作温度范围较窄。 电容器在电路中的作用 作为无源元件之一的电容，其作用不外乎以下几种： 1、应用于电源电路，实现旁路、去藕、滤波和储能的作用。下面分类详述之： 1 ）旁路 旁路电容是为本地器件提供能量的储能器件，它能使稳压器的输出均
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