国家知识产权局信息显示，矽力杰半导体技术（杭州）有限公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法”的专利，公开号CN121285003A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体器件及其制备方法，基于图案化的牺牲层在栅极结构与漏极结构之间形成至少一个电子调节层，且电子调节层被配置为三五族化合物，并靠近漏极结构及栅极结构的电子调节层与其均为非接触设置，电子调节层可产生较高的供体状态界面密度以在电子调节层与势垒层的界面处形成更多的正电荷，达到增大电子调节层下方2DEG浓度的效果，以使得大体上靠近漏极结构下方的沟道层与势垒层接触面处的二维电子气密度高于靠近栅极结构的沟道层与势垒层接触面处的2DEG密度，以降低器件的导通电阻以及减小器件寄生电容；同时靠近栅极结构的电子调节层与靠近漏极结构的电子调节层相应设置为非接触方式，可有效降低漏极结构处及栅极结构处的击穿风险。
天眼查资料显示，矽力杰半导体技术（杭州）有限公司，成立于2008年，位于杭州市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本6852万美元。通过天眼查大数据分析，矽力杰半导体技术（杭州）有限公司共对外投资了43家企业，参与招投标项目13次，财产线条，此外企业还拥有行政许可9个。
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