电容的阻抗与导纳公式
栏目：行业资讯 发布时间：2025-07-13
Snapdragon 888是865的升级产品，那么Snapdragon 870是什么？ 中兴通讯与当红旗天达成战略合作，帮助当红旗天建设中国首个XR行业5G实验室 国光资讯急于在首次公开募股前支付股息，应收账款现金流量高与贷款息息相关。 更高的回报，更少的风险，魏德米勒BLADEcontrol®延长了转子叶片的使用寿命 CQ9电子游戏平台 CQ9电子官方入口 在交流电路中，电容器的
Snapdragon 888是865的升级产品，那么Snapdragon 870是什么？
中兴通讯与当红旗天达成战略合作，帮助当红旗天建设中国首个XR行业5G实验室
国光资讯急于在首次公开募股前支付股息，应收账款现金流量高与贷款息息相关。
更高的回报，更少的风险，魏德米勒BLADEcontrol®延长了转子叶片的使用寿命
在交流电路中，电容器的阻抗（Z）和导纳（Y）是描述其特性的重要参数。对于一个理想电容器而言，其电容值为C，工作频率为f，则电容器的阻抗可以通过以下公式计算： [ Z = frac ] 其中，(Z)表示阻抗，单位为欧姆（Ω），(f)是频率，单位通常为赫兹（Hz），而(C)是电容值，单位为法拉（F）。 另一方面，电容器的导纳（Y）是阻抗的倒数，用来描述电流通过电容器的能力，其计算公式为： [ Y = frac = 2pi fC ] 这里，(Y)的单位是西门子（S）。从公式可以看出，随着频率的增加，电容器的阻抗减小，导纳增大，这表明高频信号更容易通过电容器。