国际商业机器公司申请异质全环绕栅极电介质厚度专利提供标称或较小有效栅极电介质或电阻
栏目：行业资讯 发布时间：2025-06-12
金融界2025年4月30日消息，国家知识产权局信息显示，国际商业机器公司申请一项名为“异质全环绕栅极电介质厚度”的专利，公开号CN119896066A，申请日期为2023年7月。 专利摘要显示，半导体包括第一GAA FET（303）和第二GAA FET（305）。第二GAA FET在其栅极结构内包括第一栅极电介质（391）和第二栅极电介质（472）。第一GAA FET在其栅极结构内仅包括第一
金融界2025年4月30日消息，国家知识产权局信息显示，国际商业机器公司申请一项名为“异质全环绕栅极电介质厚度”的专利，公开号CN119896066A，申请日期为2023年7月。
专利摘要显示，半导体包括第一GAA FET（303）和第二GAA FET（305）。第二GAA FET在其栅极结构内包括第一栅极电介质（391）和第二栅极电介质（472）。第一GAA FET在其栅极结构内仅包括第一栅极电介质。第一GAA FET的栅极电介质结构提供相对于第二GAA FET的有效栅极电介质结构的标称或较小的有效栅极电介质或栅极电介质电阻。第一GAA FET还包括在其栅极结构内的第一栅极导体（392），并且第二GAA FET还包括在其栅极结构内的第一栅极导体和第二栅极导体（395）。第一栅极导体和第二栅极导体被第二栅极电介质隔开。