.电阻版图的形状一般由三种，最简单的就是一个矩形电阻如图上所示。它两端是接触孔，通过接触孔将接触的导电材料连起来，这样几乎所有的电流都通过一个接触孔，经过这个接触孔流过导体，后经另一个接触孔流出。电阻的计算长度为两个接触孔之间的距离，宽度为电阻体的宽度。
.第二种版图形状一般适合于大电阻，通常被做成折叠状，如图中所示一般采用矩形拐角，容易绘制，电阻拐角以及其间距容易调整。一般不作成圆形或其他特殊形状，这样不宜调整。电流不会均匀的流过折叠电阻的拐角处。
.另外的一种版图形状主要适用于当电阻体部分宽度很小，版图绘制时，接触孔无法放入电阻内部。这时通常加大电阻的两端，形状如图下所示，称为哑铃状电阻。
.多晶硅的电阻率取决于掺杂，重掺杂的多晶硅用作MOS管栅极可以改善电阻的导电性能。本征掺杂或者轻掺杂的多晶硅采用N型源漏注入和P型源漏注入的掺杂方式来改变方块电阻。
.多晶硅电阻结构如图上中所示，图上是以POLY1做电阻时的版图，图中由轻掺杂的N型多晶硅构成的高阻多晶
POLY2电阻。POLY2电阻在端头处多加了N型注入，是为了降低端头接触电阻。
.如果在做注入时把多晶硅电阻挡住，那么它的电阻值将增加2-3倍。如图下所示，在注入时加一个HR的掩模板，
电阻体的部分被挡住，只有电阻两端头的地方留出，以便掺杂注入来减少欧姆接触电阻。
.了解一下三种工艺Silicide、Policide、Salicide，都是利用硅化物来降低多晶电阻。其中，Silicide是金属硅化物，是由金属和硅经过物理-化学反应形成的一种化合态，其导电特性介于金属和硅之间，
其一般制造过程是，栅氧化层完成以后，继续在其上面生长多晶硅，然后在多晶硅上继续生长金属硅化物Silicide，然后再进行栅极刻蚀和有源区注入等其它工序，完成整个芯片制造。
先是完成栅刻蚀及源漏注入以后，以溅射的方式在多晶硅上淀积一层金属层，然后进行第一次快速升温煺火处理，使多晶硅表面和淀积的金属发生反应，形成金属硅化物。
区别：polycide降低栅极电阻；silicide降低源漏电阻；salicide既能降低栅极电阻，又能降低源漏电阻。
.CMOS工艺中常用的有MOS电容、多晶硅-多晶硅（PIP）电容、金属-金属（MIM）电容、MOM电容（Metal-
电容器，此电容器结构如图所示，它是以栅氧化层作为介质，多晶硅为上极板，衬底为下极板。工作在反型区的MOS电容要求源漏相连，一旦出现强反型，导电沟道就会使源漏短接。此时，沟道就是MOS电容的下极板，多晶硅构成电容的上极板，MOS电容的版图与常规MOS晶体管的版图一样。电容值
多晶硅-绝缘体-多晶硅电容（Poly-Insolator-Poly，PIP）需要两次多晶硅工艺，比单层多晶硅要多几道工序。
Polycide工艺除了大面积掺杂的多晶硅栅之外，还增加了第二层用于制作多晶高阻。多晶硅栅用作PIP电容的下极板，
而高阻的多晶层作为上极板，如图所示。PIP电容的上下极板不能互换。PIP不可避免的存在寄生电容，如电容上极板与上层的互连线，下极板与衬底。而这些寄生电容通常与电容自身的大小，版图形状，工艺参数有关。可以通过版图设计，工艺控制尽可能减小。通常上极板的寄生电容小于下极板。如图所示是PIP电容版图。
MIM）是指两层金属电极和中间的介质膜组成的电容。它一般远离衬底，以减少寄生效应。通常采用顶层金属和其下面一层作为MIM电容。MIM
电容如图所示。MIM电容在集成电路中较为普遍，用于匹配、滤波、隔直流等。
MOM电容（Metal-Oxide-Metal）：插指（finger）电容，利用同一层金属布线边沿之间的电容并联
一般只在多层金属的先进工艺上使用，因为是通过多层布线的版图来实现的，匹配最好，MOM电容设计自由度比较高，不需要额外光刻，只需要金属布线这一层。由于是同一层金属布线，因此电容极板处于同一平面，极板接法可以互换。
.CMOS工艺中，目前使用最为广泛的一种集成电感是片上螺旋电感，在芯片上以平面电感实现。
.平面电感分别为圆形、八边形、方形等结构，由于受到工艺设计规则限制，拐角的角度不能任意，因此，圆形平面电感很难绘制，所以正方形结构目前应用比较广泛。
.片上螺旋电感的电感值主要由圈数、金属线宽度、金属线间距、内外直径等横向尺寸参数确定，而其寄生电容和电阻是由横向尺寸参数和纵向尺寸参数共同确定的。.一般选用最高金属层来做电感，可以降低电感与衬底之间的氧化层电容，在CMOS工艺中，最上层金属总是
最厚的。电感内圈的抽头通过下一层金属线和通孔连接。.电感版图如图所示，集成电感常用于射频IC。
2、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
3、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
4、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
原创力文档创建于2008年，本站为文档C2C交易模式，即用户上传的文档直接分享给其他用户（可下载、阅读），本站只是中间服务平台，本站所有文档下载所得的收益归上传人所有。原创力文档是网络服务平台方，若您的权利被侵害，请发链接和相关诉求至 电线) ，上传者