南亚科技申请半导体结构及其制造方法专利减少电容值
栏目：行业资讯 发布时间：2025-06-03
金融界2025年4月8日消息，国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法”的专利，公开号 CN 119767675 A，申请日期为 2024年12月。 专利摘要显示，本发明的实施例提供一种半导体结构，包括设置于基板中的主动区、设置于主动区上的栅极结构、设置于栅极结构两侧的基板中的二源极/漏极区、设置于栅极结构的两侧的二位元线触点、围绕栅极结构的上部的第一
金融界2025年4月8日消息，国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法”的专利，公开号 CN 119767675 A，申请日期为 2024年12月。
专利摘要显示，本发明的实施例提供一种半导体结构，包括设置于基板中的主动区、设置于主动区上的栅极结构、设置于栅极结构两侧的基板中的二源极/漏极区、设置于栅极结构的两侧的二位元线触点、围绕栅极结构的上部的第一介电层及围绕每个位元线触点的上部的第二介电层。每个位元线触点直接接触每个源极/漏极区的一部分。此外，本发明也提供一种制造半导体结构的方法。本发明的实施例提供半导体结构及其制造方法可以减少电容值，并还可以改进电阻电容延迟效应的问题。