荣芯半导体申请测试结构及其制备方法专利实现沟槽电容下极板接触电阻监控
栏目：行业资讯 发布时间：2025-01-01
金融界2024年12月26日消息，国家知识产权局信息显示，荣芯半导体（淮安）有限公司申请一项名为“一种测试结构及其制备方法”的专利，公开号 CN 119181695 A，申请日期为2024年9月。 专利摘要显示，本发明公开了一种测试结构及其制备方法，所述测试结构包括沟槽电容和测试层，所述沟槽电容包括由下至上依次设置的下极板、电容介质层和上极板，所述沟槽电容包括至少两个沟槽区域，所述测试层与所
金融界2024年12月26日消息，国家知识产权局信息显示，荣芯半导体（淮安）有限公司申请一项名为“一种测试结构及其制备方法”的专利，公开号 CN 119181695 A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本发明公开了一种测试结构及其制备方法，所述测试结构包括沟槽电容和测试层，所述沟槽电容包括由下至上依次设置的下极板、电容介质层和上极板，所述沟槽电容包括至少两个沟槽区域，所述测试层与所述沟槽电容的下极板相连接，所述测试层包括与所述沟槽电容的沟槽区域一一对应设置的测试单元，所述测试单元分隔设置，所述测试单元分别引出四端测试法的端口。根据本发明提供的测试结构及其制备方法，通过使分隔设置的测试单元之间经由所述沟槽电容的下极板构成用于四端测试法的测试通路，从而实现沟槽电容的下极板在沟槽区域处的接触电阻的监控，帮助工程师更快、更准确的发现导致沟槽电容失效的原因，便于进行相应改善。