禹创半导体申请防OTP误写入电路及芯片专利防止OTP误写入
栏目：行业资讯 发布时间：2024-11-12
金融界2024年11月11日消息，国家知识产权局信息显示，禹创半导体（深圳）有限公司申请一项名为“防OTP误写入电路及芯片”的专利，公开号CN 118918934 A，申请日期为2024年8月。 专利摘要显示，本申请提供了一种防OTP误写入电路及芯片，防OTP误写入电路包括：OTP模块、第一供电端、第二供电端、OTP读写模块、第一防误写模块和第二防误写模块，第一防误写模块包括：第一开关管、第
金融界2024年11月11日消息，国家知识产权局信息显示，禹创半导体（深圳）有限公司申请一项名为“防OTP误写入电路及芯片”的专利，公开号CN 118918934 A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，本申请提供了一种防OTP误写入电路及芯片，防OTP误写入电路包括：OTP模块、第一供电端、第二供电端、OTP读写模块、第一防误写模块和第二防误写模块，第一防误写模块包括：第一开关管、第一电容、第二电容和第一电阻，第二防误写模块包括：第二开关管、第三开关管、第四开关管、第五开关管、第六开关管第七开关管其中在非工作模式下在第供电端出现异常电压上升时，第一开关管导通，使OTP模块保持在第一预设电压；在读取模式时，在第一供电端出现异常电压上升时，所述第三开关管、第四开关管、第五开关管和第六开关管导通，所述第六开关管的受控端电压上升，使第二开关管导通，从而使OTP读写模块的第一端保持在第二预设电压。