国家知识产权局信息显示，贵州辰矽电子科技有限公司申请一项名为“一种集成异质结二极管的分裂栅MOSFET”的专利，公开号CN121419314A，申请日期为2025年11月。　　专利摘要显......

　　国家知识产权局信息显示，珠海楠欣半导体科技有限公司申请一项名为“反激变换器、芯片和电子设备”的专利，公开号CN121441115A，申请日期为2025年11月。　　专利摘要显示，本申请提......

　　国家知识产权局信息显示，天津瓦司特钠科技研发有限公司、浙江瓦司特钠科技有限公司、天津油源瓦司特钠电力智慧能源有限公司取得一项名为“油井储能能量回收系统”的专利，授权公告号CN223858......

　　1、本年度报告摘要来自年度报告全文，为全面了解本公司的经营成果、财务状况及未来发展规划，投资者应当到 网站仔细阅读年度报告全文。　　公司已在本报告中详细描述可能存在的相关风险，敬请查阅本......

　　基于方块电阻值基础值和方块电阻值修正值计算方块电阻值，其中，所述方块电阻值　　修正值基于所述电阻的长度方向偏差值和所述电阻的宽度方向偏差值计算；以及，　　所述方块电阻值结合所述电阻的长宽......