,引出两个电极,就构成了二极管。 半导体二极管的结构在PN结上加上引线和封装,就成为一个二极管。二极管按结构分有点接触型、面接触型两大类。点接触型:结面积小,结电容小,故结允许的电流小,最高工作频率高。面接触型:结面积大,结电容大,故结允许的电流大,最高工作频率低。平面型:结面积可小、可大,小的工作频率高,大的结允许的电流大。 二极管的伏安特性二极管的伏安特性曲线e(/SDD??TVvIi0vD/?10?20?30?405101520?10?20?30?40iD/?AiD/mA死区VthVBR硅二极管2CP10的V-I 特性0vD/?20?40?605101520?10?20?30?40iD/?AiD/mA②①③VthVBR锗二极管2AP15的V-I 特性+iDvD-,(-),(-)从二极管的伏安特性可以反映出:1. 单向导电性TT SevVDv V i I?? ?DD若正向电压,(℃)↑→在电流不变情况下管压降u↓→反向饱和电流IS↑,U(BR) ↓T(℃)↑→正向特性左移,反向特性下移正向特性为指数曲线反向特性为横轴的平行线℃T SD Dv V i I?? ??若反向电压,则 二极管的伏安特性)1e(/SDD??TVvIi在一定的温度条件下,由本征激发决定的少子浓度是一定的,故少子形成的漂移电流是恒定的,基本上与所加反向电压的大小无关,这个电流也称为反向饱和电流。 二极管的主要参数第五版P71(1) 最大整流电流IF管子长期运行时,允许通过的最大正向平均电流(2) 反向击穿电压VBR管子反向击穿时的电压值(3) 反向电流IR管子未击穿时的反向电流,其值越小,则管子的单向导电性越好(4)极间电容CJ(CB、CD )高频和开关状态运用时需考虑(5)最高工作频率fM 简单二极管电路的图解分析方法二极管是一种非线性器件,因而其电路一般要采用非线性电路的分析方法,相对来说比较复杂,而图解分析法则较简单,但前提条件是已知二极管的V -I 特性曲线。符号中大小写的含义:大写字母大写下标:静态值(直流),如,IB(参见“本书常用符号表”)小写字母大写下标:总量(直流+交流),如,iB小写字母小写下标:瞬时值(交流),如, 电路如图所示,已知二极管的V-I特性曲线、电源VDD和电阻R,求二极管两端电压vD和流过二极管的电流iD 。+iDvD-RVDDD解:由电路的KVL方程,可得RViDDDDv??DDDD11VRRi???v即是一条斜率为-1/R的直线,称为负载线Q的坐标值(VD,ID)即为所求。Q点称为电路的工作点二极管的V-I特性曲线 二极管及基本电路 来自淘豆网转载请标明出处.