大关，标志着我国在全球范围内率先迈入氧化镓万伏级器件实用化阶段，在第四代
本次本次平湖实验室万伏级光导开关，实现击穿电压＞10000V，同时具备超低导通电阻（动态导通电阻低于10欧姆）、亚纳秒级（1ns）超快响应、高稳定性等突出优势，综合性能达到国际领先水平。相较于行业传统水平，该器件在耐压能力大幅提升的同时，导通损耗显著降低，可广泛应用于高压直流输电智能化控制、大功率脉冲产生、先进加速器及国防高技术装备等领域高端领域，解决长期以来高压、超快、低阻器件“卡脖子”难题。
作为本次突破的核心支撑，镓仁半导体氧化镓衬底材料发挥决定性作用。公司自主研发的8英寸氧化镓衬底结晶质量优异、厚度均匀性高、电学性能稳定，完全满足高端高压器件对大尺寸、低缺陷、高一致性的严苛要求，是目前国际少数可支撑万伏级器件工程化验证的氧化镓衬底材料，为大功率、高压、大尺寸氧化镓器件发展奠定坚实基础。
镓仁半导体持续深耕氧化镓领域，于2026年3月实现全球首个8英寸氧化镓同质外延生长，一举破解了氧化镓产业化的核心瓶颈，更重塑了全球氧化镓产业的竞争格局。此外，镓仁半导体专为氧化镓科研场景量身打造“SCIENCE系列”科研级VB法长晶设备，以全自主核心技术助力高效科研探索。
公司具备各尺寸氧化镓衬底规模化制备能力，衬底平整度、位错密度、电学参数表现均属世界领先水平；同时拥有成熟的氧化镓同质外延生长工艺，可稳定制备高耐压、低损耗、大功率专用外延片。公司产品全面覆盖光导开关、MOSFET、二极管、探测器等多种器件需求。
目前，镓仁半导体8英寸氧化镓同质外延片已实现稳定供给，多项关键指标达到国际先进水平，可充分支撑高校、科研院所及器件企业开展高压、高频、大功率、光电等前沿方向研究。
镓仁半导体“SCIENCE系列”科研级VB法长晶设备依托镓仁半导体多年氧化镓产业化技术沉淀，在稳定性、精准度和兼容性上实现三重突破，堪称科研路上的“得力搭档”：
01可灵活满足不同尺寸氧化镓VB法单晶生长需求，无需频繁更换核心部件，极大降低成本要求。
02搭载自主研发的全自动化复合测温技术和控温算法，温度控制精度达±0.1℃，确保晶体生长过程的稳定性、均匀性和一致性。
03配备可视化操作界面与智能数据记录功能，实时监测长晶过程中的关键数据，减少人工操作误差，加速科研进程。
“SCIENCE系列”科研级VB法长晶设备现已全面开放销售。展望未来，镓仁半导体始终坚持“开放合作、协同创新”理念，高度重视与器件端的深度联合开发。愿与全球实验室、芯片设计公司、装备及系统厂商紧密协作，以一流材料赋能一流器件，以全链条能力支撑产业生态，共同推动氧化镓从科研突破走向大规模产业化！