当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。
当外加的反向电压高到一定程度时,p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。p-n结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。
Littelfuse应用学习社第二期:打造更节能与安全的消费电子电源解决方案
TrendForce集邦咨询: 需求转弱、供给承压,预估2026年全球笔电出货量将下修至年减14.8%
TrendForce集邦咨询: AI服务器需求支撑2026年第二季度存储器合约价上行,CSP借长期协议锁定供货
TrendForce集邦咨询: 2025年全球OLED显示器出货量年增92%
TrendForce集邦咨询: 晶圆代工与封测成本同步上涨,DDIC供应商正酝酿上调报价
TrendForce集邦咨询: 低容量NAND Flash供给紧缩叠加品牌推动AI革新,预估2026年智能手机平均存储容量年增4.8%
TrendForce集邦咨询: 英伟达多元产品线分攻AI训练与推理需求,以应对CSP自研ASIC规模升级
TrendForce集邦咨询: AI动能稳健,预估2026年晶圆代工产值年增24.8%,部分制程涨价浮现