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二极管特性主要参数—CQ9电子-游戏官方网站
二极管特性主要参数
栏目:公司新闻 发布时间:2026-03-20
 反向电流由少子形成,因此反向电流一般很小。 反向电流由少子形成,因此反向电流一般很小。 很小 小功率硅管:小于 微安 小功率锗管: 微安; 小功率硅管:小于1微安;小功率锗管:几十微安  二极管长期运行允 1、 最大整流电流IFM———————— FM———————— 许通过的最大正向平均电流  用数字代表同类器件的不同规格 代表器件的类型 代表器件的材料 2代表二极管,3代表三极管。 代表二

  反向电流由少子形成,因此反向电流一般很小。 反向电流由少子形成,因此反向电流一般很小。 很小 小功率硅管:小于 微安 小功率锗管: 微安; 小功率硅管:小于1微安;小功率锗管:几十微安

  二极管长期运行允 1、 最大整流电流IFM———————— FM———————— 许通过的最大正向平均电流

  用数字代表同类器件的不同规格 代表器件的类型 代表器件的材料 2代表二极管,3代表三极管。 代表二极管, 代表三极管 代表三极管。 代表二极管

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  在室温下, 在室温下,在规定的反向电压下的反 向电流值。反向电流越小, 向电流值。反向电流越小,管子单向 导电性能越好。 导电性能越好。

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  主要取决于PN结结电容的大小 4、最高工作频率fM—— 主要取决于 结结电容的大小 最高工作频率f

  3、分类 材料: 材料:硅二极管和锗二极管 用途:整流、稳压、开关、 用途:整流、稳压、开关、普通二极管 结构、工艺:点接触、 结构、工艺:点接触、面接触

  3、反向击穿特性 反向击穿:外加电压达到一定数值时,在PN结中 反向击穿:外加电压达到一定数值时, 结中 形成强大的电场,强制产生大量的电子和空穴, 形成强大的电场,强制产生大量的电子和空穴,使反 向电流剧增; 向电流剧增; 结论:

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二极管特性主要参数(图1)

  1、正向特性 死区电压: 死区电压: 硅:0.5V 锗:0.1V 2、反向特性 正常工作时的管压降 硅:0.7V 锗:0.3V