5月27日，韩国首尔中央地方检察厅以违反《防止不正当竞争和商业秘密保护法》为由，要求对三星电子知识产权中心前负责人（前副总裁）安承浩（Ahn Seung-ho）发出逮捕令。
首尔中央地方检察厅信息技术犯罪调查处副检察长Lee Chun表示，该处已对安承浩重新提交了逮捕令，据称他从专利律师事务所获得总计6亿韩元的报酬。
安承浩曾于2010年至2018年担任三星电子知识产权中心负责人，并于2019年离职，次年与专利持有者Staton Techiya LLC共同创立了一家专利管理公司Synergy IP，涉嫌与三星电子内部员工勾结，窃取重要机密数据，并向美国法院提起针对三星的专利侵权诉讼。
美国得克萨斯州东区地方法院近日驳回了这起诉讼。法院在判决中将安承浩等提起的诉讼描述为“不诚实、不公平、欺骗性和违反法治的应受谴责的行为”。
法院还指出，尽管安承浩在三星电子任职期间曾在公司资助下到美国一所法学院留学，并获得了美国律师资格，但他作为律师违反了对三星的信托责任。
天眼查显示，北京北方华创微电子装备有限公司近日取得一项名为“半导体工艺设备中的温度控制装置及方法”的专利，授权公告号为CN113013071B，授权公告日为2024年5月17日，申请日为2021年3月31日。
本申请提供一种半导体工艺设备中的温度控制装置及方法，该温度控制装置包括第一温控源、第二温控源、第一输出管道、第二输出管道、第一回流管道、第二回流管道、第一短路管道、第二短路管道及控制器，其中；两个温控源的输出口分别通过两个输出管道与卡盘的进口连通，两个温控源的回流口分别通过两个回流管道与卡盘的出口连通；两个温控源的输出口还通过两个短路管道分别与各自的回流口连通；各管道上均设置有通断开关；控制器用于依次连通或断开多个通断开关，将卡盘与两个温控源的连通进行切换，两个温控源中的温控介质的温度不同。应用本申请可以提高温度控制范围、缩短控温时间，并有效解决两个温控源中的流体串混的问题。
天眼查显示，北京奕斯伟计算技术股份有限公司近日取得一项名为“一种发光二极管驱动电路和显示装置”的专利，授权公告号为CN115831067B，授权公告日为2024年5月17日，申请日为2022年12月20日。
本公开提供一种发光二极管驱动电路和显示装置，属于显示驱动技术领域，其中，发光二极管驱动电路具有两种工作模式，分别为电流调节模式和电阻调节模式；其中，所述发光二极管驱动电路包括：基准电流模块、电阻调节子电路、第一运算放大器、第一镜像子电路、第一反馈控制环路和第一开关模块、第二开关模块和第三开关模块；其中，所述第一运算放大器的同相输入端被配置接收参考电源电压，反相输入端电连接所述电阻调节子电路。
天眼查显示，北京北方华创微电子装备有限公司近日取得一项名为“半导体加工腔室”的专利，授权公告号为CN112687513B，授权公告日为2024年5月17日，申请日为2020年12月25日。
本发明提供一种半导体加工腔室，包括腔体和设置在腔体中的可升降的基座和内衬组件。内衬组件包括上内衬和下内衬，其中，上内衬环绕设置在腔体的侧壁内侧；下内衬固定环绕设置在基座的外周，下内衬中设置有导气通道，导气通道包括均沿下内衬的周向环绕的第一环形通气口和第二环形通气口，且第二环形通气口的内径小于第一环形通气口的内径；下内衬用于在基座位于工艺位置时，下内衬与上内衬围成第一空间，且下内衬与腔体之间的区域为第二空间，基座位于第一空间内，升降机构位于第二空间内；第一环形通气口和第二环形通气口分别与第一空间和第二空间连通。本发明提供的半导体加工腔室，其可以提高工艺气体的分布均匀性，从而提高产品质量。
【授权】高云半导体获得FPGA高速数据传输专利；华虹宏力寄生电容过载相关专利获授权；元感微电子接插件及力传感器专利获授权
【进展】西安交大科研人员在介电可调陶瓷领域取得进展；vivo获得芯片供电电路专利；中科飞测 “一种光学成像装置”专利获授权
【专利】华虹宏力“闪存器件的制造方法”专利获授权；飞腾芯片模块接口时钟结构相关专利获授权；白盒子获得图像处理器芯片架构专利
TCL“复合材料、薄膜、发光器件及其制备方法、mini-LED背光模组及显示装置”专利获授权
京东方“封装结构及其制作方法、封装缺陷检测方法、OLED器件和显示装置”专利获授权
Omdia：到2031年移动PC市场的OLED显示屏年均复合年增长率将达到37％
江波龙：两款自研主控芯片已批量出货，赋能eMMC和SD卡两大核心产品线小时前