全硅RC缓冲器用于碳化硅MOSFET
栏目：公司新闻 发布时间：2025-12-08
目前正在向潜在客户采样，所有零件将是新零件编号“MLX91299”的变体，并以裸芯片形式交付，准备与电源模块内的MOSFET和二极管芯片进行顶部线连接。反金属化兼容烧结和焊接。 该硅吸收器设计用于直流链路，最高可达1000伏直流，峰值可达1200伏，击穿额定值将超过1500伏。 据公司介绍，它们“在电压超过150伏时保持恒定电容，并在10nA附近表现出泄漏电流”。“有多种R和C组合，比如4
目前正在向潜在客户采样，所有零件将是新零件编号“MLX91299”的变体，并以裸芯片形式交付，准备与电源模块内的MOSFET和二极管芯片进行顶部线连接。反金属化兼容烧结和焊接。
该硅吸收器设计用于直流链路，最高可达1000伏直流，峰值可达1200伏，击穿额定值将超过1500伏。
据公司介绍，它们“在电压超过150伏时保持恒定电容，并在10nA附近表现出泄漏电流”。“有多种R和C组合，比如4.3nF在1.45Ω或1.1nF在5.23Ω。”
尺寸限制为：直径1.5至5毫米（顶部图中的X和Y），厚度可达640微米（Z）。电容范围可从200pF到5.8nF，电阻范围为1Ω至35Ω。工作目标温度为-40至+150°C环境，峰值温度为175°C。
Melexis表示：“SiC器件在高速切换和高电压下工作，天生容易受到电压瞬变、高频振荡和寄生效应的影响。”“集成RC缓冲器可以减轻这些影响，Melexis的早期测量显示，RC缓冲器可将开关损耗降低多达50%。”——这个50%的数字是从无缓冲器的91mJ到使用硅缓冲器的39mJ。