随着人工智能技术从虚拟走向现实，具身智能与人工智能数据中心（AIDC）已成为驱动科技产业升级的核心赛道。政策层面，具身智能纳入国家“十五五”战略布局，AIDC建设被纳入《算力基础设施高质量发展行动计划》，两大领域均迎来政策与市场的双重红利。江苏芯长征微电子集团股份有限公司依托芯片设计、模块封装、检测设备自主可控的垂直产业链，以Virtual-IDM模式打造高适配性功率半导体产品，为两大领域提供可靠器件支撑。
具身智能设备（如工业协作机器人、智能移动载体、康复辅助设备）的核心诉求集中在高功率密度、低损耗、小体积与宽温适配，48V电源架构已成为行业主流，对100V等级功率器件提出明确需求。芯长征针对性推出低压MOS产品MPGS10R015AMH，精准匹配场景需求。
①核心电气参数：漏源电压（VDS）=100V，该参数决定器件可承受的最大电源电压，适配具身智能设备、小型电源等低压供电场景；
②连续漏极电流（ID）=353A，这一特性可满足小型智能机械臂关节电机、便携式智能设备驱动模块等的电流需求，保障负载动作稳定；
③导通电阻（RDS(on)）=1.5mΩ，低导通电阻能显著降低电流通过时的功率损耗，减少器件发热，既适配设备长时间运行，也能提升能量利用效率；
④封装：TOLL，该封装具备小体积、散热效率较高的特点，适合智能设备中高密度的电路布局，节省PCB板空间。同时，工业级MOSFET通常工作温度范围为-55℃~150℃，此宽温特性可让器件适配户外、工业车间等温差较大的场景，避免温度波动影响性能；
⑤开关特性参数：作为增强型N沟道MOSFET，其开关响应速度较快，栅极电荷（Qg）通常处于低水平区间，可快速响应栅极电压信号变化，缩短开关延迟。该特性适配具身智能设备传感器反馈后的快速动作调整、电源模块高频开关等场景，提升AIDC设备响应灵敏度；
AIDC算力需求持续激增，单机架功耗已从10kW级迈向150kW级，800V HVDC与固态变压器（SST）架构成为解决传统供电线损大、能效低的核心方案，对1200V等级高压功率器件的低损耗、高可靠性与扩容能力提出严苛要求。芯长征推出两款SiCMOS模块，完美适配场景升级需求。
a. 漏源电压（Vdss）：1200V，作为宽禁带碳化硅器件，该高压规格可适配中大功率场景下的高压供电系统，满足新能源、工业电源等领域的高压转换需求;
b. 栅源电压：稳态与瞬态耐压能力优异，瞬态最大栅源电压可达+23V和-10V；较常规器件扩大的电压窗口提升了驱动灵活性，也降低了驱动电路设计难度;
②导通电阻参数：导通电阻（Rds(on)）为4mΩ，该低导通电阻特性是其核心优势之一。在同样芯片面积下，搭配M1H增强型技术，能有效减少导通损耗，提升模块效率，同时降低AIDC算力系统的散热需求，适配高频工作场景；
a. 过载工作结温（Tvjop）：过载工况下最高可达175℃，宽温度适应范围让AIDC算力模块能应对工业设备、新能源装置等高强度运行时的发热场景，减少因高温导致的停机故障；
b. 模块集成NTC温度传感器，可实时监测工作温度，便于系统及时调整运行状态，进一步保障器件在复杂温度环境下的稳定工作；
a. 封装规格：采用EasyDUAL™2B封装，部分型号采用氮化铝陶瓷材料，模块高度仅12.25mm，属于同类产品中较轻薄的规格，利于AIDC设备内部紧凑布局。
b. 采用PressFIT压接技术，不仅简化了装配流程，还能提升AIDC算力模块与电路板连接的可靠性；同时模块杂散电感极低，可减少开关过程中的电压尖峰，保护器件并提升系统稳定性。
a. 依托宽禁带（WBG）碳化硅材料，具备优异的高频工作能力，能助力系统实现更高功率密度，减少无源元件体积；且DCB基板材料导热性出色，可快速导出工作热量，进一步降低散热系统的设计成本。
b. 支持并联使用，通过多模块并联可适配更大功率场景，同时能实现良好的均流表现，增强大功率系统运行时的稳定性，适配充电桩、工业变频器等大功率设备的功率扩展需求。
作为1200V、4mΩ的碳化硅半桥模块，凭借高压适配、低损耗、支持并联扩容等特性，契合AIDC（人工智能数据中心）高功率密度、高效率的供电需求，主要应用于其核心供配电环节，具体领域如下：
AIDC设备作为适配高压场景的碳化硅半桥模块，契合AIDC对高功率、高效率、高稳定性的核心诉求，其客户价值集中在降低综合成本、提升AIDC算力部署能力、保障供电可靠等多个关键维度，具体如下：
开关与电容特性开通延迟时间（tdon，电感负载，Tvj=25∘C）=83.4ns
b. 其他机械特性：支持预先涂抹热界面材料，适配标准构造技术，便于集成到各类电力电子设备的散热和装配体系中。
b. 具备高宇宙射线抗性、卓越的栅极氧化层可靠性和高抗湿性，同时集成坚固的体二极管，适配UPS、储能、太阳能、充电桩等工业应用场景的严苛工况。
1200V规格的CoolSiC™MOSFET半桥模块，融合了M1H芯片技术与62mm封装优势，技术亮点集中在电能转换效率、运行可靠性、适配灵活性等多个关键维度，具体如下：
AIDC算力正朝着超高功率密度、高转换效率的方向升级，800V高压直流架构已成为其核心供配电趋势。作为1200VCoolSiC™MOSFET半桥模块，凭借低损耗、高可靠性等特性，主要应用于AIDC设备的供配电核心设备中，具体场景如下：
AIDC设备凭借CoolSiC™M1H芯片技术与62mm封装的核心优势，适配AIDC在高压供电、高效算力保障等场景的核心需求，能从成本控制、运营稳定性、系统升级适配等多方面为客户创造显著价值，具体如下：
从具身智能设备的精准驱动到AIDC的高效供电，芯长征始终以垂直产业链为根基，聚焦AIDC设备场景核心需求打造功率半导体产品。依托Virtual-IDM模式的整合优势与自主研发实力，芯长征在低压MOS与高压SiCMOS领域形成差异化竞争力，为两大新兴赛道提供兼具可靠性与性价比的器件解决方案。
未来，芯长征将持续深耕功率半导体技术，紧跟具身智能与AIDC产业发展趋势，迭代优化产品性能，拓展更多AIDC设备应用场景。无论是智能机器人的灵活运动，还是AIDC算力中心的稳定供电，芯长征都将以专业的产品与服务，成为产业链合作伙伴的坚实支撑。欢迎关注芯长征，了解更多产品动态与技术进展，共探科技产业升级新机遇
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