金融界2025年2月13日消息，国家知识产权局信息显示，常州星海电子股份有限公司取得一项名为“一种高压MOS二极管”的专利，授权公告号 CN 222440591 U，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种高压MOS二极管，包括封装体，所述封装体的内部设置有 MOS 芯片，封装体的下方连接有三个引脚，其中三个所述引脚通过一个第一铝线与两个第二铝线分别和MOS芯片相连接，并依次组成源极、栅极与漏电极。通过在MOS芯片上设置多个顶针，利用多顶针结构对该MOS二极管进行固晶，从而增加了MOS芯片的有效宽度，进而可降低MOS二极管导通状态下的电阻，提高器件的导通特性，同时采用多顶针结构可以减小MOS芯片上的电荷密度，降低电荷压降改善器件的开关速度和损耗特性，使得MOS芯片上的应力分散，进而降低了晶裂的风险。
天眼查资料显示，常州星海电子股份有限公司，成立于1990年，位于常州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本3000万人民币，实缴资本1200万人民币。通过天眼查大数据分析，常州星海电子股份有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目15次，专利信息121条，此外企业还拥有行政许可7个。
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