适用标准文案 开关二极管的种类和主要参数 因为半导体二极管拥有单导游电性，在半导体PN结加上正向偏压后，在导通状态下，电阻很小（几十到几百欧）；加上反向偏压后截止，其电阻很大（硅管在一百兆欧以上，锗管也有几十千欧至几百千欧。）。 习惯上人们把开关二极管从截止（高阻状态）到导通（低阻状态）的时间叫开通时间；从导通到截止的时间叫反向恢复时间；两个时间之和称为开关时间。一般反向恢复时间大于开通时间，故在开关二极管的使用参数上只给出反向恢复时间。开关二极管开关速度相当快，一般硅开关二极管反向恢复时间只有几纳秒，锗开关二极管也可是几百纳秒。 开关二极管的分类： （1）一般开关二极管 常用的进口一般开关二极管有1N系列、1S系列等。 （2）高频开关二极管 比一般开关二极管的反向恢复时间更短，开关频次更快。 （3）低功耗开关二极管 功耗较低，但其零偏压电容和反向恢复时间值都比高频开关二极管低。 （4）高反压开关二极管 反向击穿电压均在220V以上，但其零偏压电容和反向恢复时间值相对较大。 （5）硅电压开关二极管 它是一种新式半导体器件，有单向电压开关二极管和双向电压开关二极管之分，主要应用脉冲发生器，过压保护器等。 ▲单向电压开关二极管简称FLD，它是由PNPN四层构造的硅半导体资料构成，故又称为四层二极管，也有人称它为转折二极管。其正向为负阻电压开关特征（指当外加电压高升到正向转折电压值时，开关二极管由截止状态变成导通状态，即由高阻转为低阻），反向为稳压特征。以下图是它的伏安特征和电路图形符号： 出色文档 适用标准文案 上图中，Us为正向转折电压,当外加电压高升到Us值时，FLD管将由原来的截止状态导游通状态转变，即二极管由高阻转为低阻，这类特征就称为负阻开关特征； Is为开启电流，也就是发生电压转折时的最大截止电流； It为通态电流，当二极管的电流为It时的压降，就称为通态压降UT； IH为保持电流，当二极管的导通电流降落到IH以下时，二极管将由导通状态转变成截止状态； UB为反向稳压值； AB之间的一段曲线表示二极管由截止变成导通，或由导通变成截止的过渡过程，这个过程变化极快，导通时间一般为0.2—0.3微秒，关断时间l5—30微秒。 ▲双向电压二极管简称DAC管，它由NPNPN五层构造的硅半导体资料构成，故又称为五层二极管。其正向和反向均拥有同样的负阻开关特征。以下图是它的伏安特征和电路图形符号： 出色文档 适用标准文案 FLD管和DAC管一般按转折电压Us值分档，Us值在6V—280V范围内。表中列出的是单向管K130和双向管2CTK的详细参救，仅供参照。 衡量开关二极管利害的参数： （1）反向恢复时间 出色文档 适用标准文案 因为开关二极管的开关时间为开通时间和反向恢复时间的总和，开通时间是开关二极管从截止至导通所需时间，开通时间很短，一般能够忽视；反向恢复时间是导通到截止所用时间，反向恢复时间远大于开通时间。所以反向恢复时间为开关二极管主要参数。一般硅开关二极管的反向恢复时间小于3ns——10ns；锗开关二极管的反向恢复时间要长一些。 （2）反向击穿电压 当开关二极管两头的反向电压超出规定的值时，可能会使二极管击穿。决定开关二极管上线的是最高反向工作电压，这个反向电压不可以超出规定值，不然必定损毁。 3）正向整流电流 也就是指当开关二
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