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逻辑门电路2.1.1半导体二极管的工作原理半导体二极管（Diode）结构示意图（图1）PNPN结外壳引线引线正极负极（a）内部结构示意图（b）电路符号正极负极图1-0-1晶体二极管内部结构示意图及相应的电路符号D
二极管的伏安特性曲线开启电压理想化伏安特性曲线反向截止时反向饱和电流极小反向电阻很大（约几百kΩ）相当于开关断开
二极管的伏安特性曲线二极管的理想开关特性DRL+–vi+–VD二极管的开关特性ttviVF–VRiIF–IRt1OO二极管的实际开关特性DRL+–vi+–VDttviVF–VRiIF–IR0.1IRt1tSttOOts称为存储时间tt称为渡越时间tre=ts+tt称为反向恢复时间当外加正向电压时，PN结很窄，且在N区具有空穴的浓度梯度，在P区具有自由电子的浓度梯度，正向电流越大，浓度梯度也越大。即在P区和N区中有大量的载流子存储。
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