（2）反向特性： 二极管两端加上反向 电压时，反向饱和电流IS很小（室温下， 小功率硅管的反向饱和电流IS小于0.1μA。 （3）反向击穿特性 二极管两端反向电压 超过U(BR)时，反向电流IR随反向电压的增大 而急剧增大， U(BR) 称为反向击穿电压。
构成：PN 结 引线; 管壳 = 二极管(Diode) 符号：阳极（正极） 阴极（负极） 分类： 1.根据材料 硅二极管、锗二极管 2.根据结构 点接触型、面接触型、平面型 1．二极管的结构和符号
随着技术的不断进步和应用 领域的不断拓展，LED发光二 极管的前景非常广阔。未来， LED将在智能照明、可穿戴设 备、生物医学等领域发挥更 大的作用。同时，随着环保 意识的提高和能源紧缺的压 力，高效、节能的LED产品将 更加受到市场的青睐。
• LED发光二极管概述 • LED发光二极管结构与特性 • LED发光二极管制造技术 • LED发光二极管驱动电路设计 • LED发光二极管应用领域探讨 • LED发光二极管产业发展现状与趋势分析
[例1.1] 图1-3所示电路中，当开关S闭合后，H1、H2两个指 示解 ：灯 ，由哪电 路一图个可可知能，发开光关 S？闭 合 后 ， 只 有 二 极 管 V 1 正 极 电 位 高 于 负 极 电 位 ，
• 发光二极管基本概念与原理 • 发光二极管制造工艺及流程 • 发光二极管应用领域与市场现状 • 发光二极管性能评价与测试方法 • 发光二极管前沿技术与发展趋势 • 总结与展望：未来挑战与机遇并存
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在纯净半导体硅或锗（4价）中掺入磷、砷等5价 元素，由于这类元素的原子最外层有5个价电子，故在 构成的共价键结构中，由于存在一个多余的价电子而产 生大量自由电子，这种半导体主要靠自由电子导电，称 为电子半导体或N型半导体，其中自由电子为多数载流 子，热激发形成的空穴为少数载流子。
在纯净半导体硅或锗（4价）中掺入硼、铝等3价 元素，由于这类元素的原子最外层只有3个价电子，故 在构成的共价键结构中，由于缺少价电子而形成大量空 穴，这类掺杂后的半导体其导电作用主要靠空穴运动， 称为空穴半导体或P型半导体，其中空穴为多数载流子， 热激发形成的自由电子是少数载流子。