当输入电压UI由正值U F跃变为负值U R的瞬间，VD并不能立刻截止，而是在外加反向电压UR作用下，产生了很大的反向电流IR，这时iD=I R≈- U R／R，经一段时间t rr后，二极管VD才进人截止状态，如图2.(c)所示。通常将t r r称作反向恢复时间。

　　产生t rr的主要原因是由于二极管在正向导通时，P区的多数载流子空穴大量流入N区，N区的多数载流子电子大量流入P区，在P区和N区中分别存储了大量的电子和空穴，统称为存储电荷。当UI由UF跃变为负值ຫໍສະໝຸດ BaiduR时，上述存储电荷不会立刻消失，在反向电压的作用下形成了较大的反向电流IR，随着存储电荷的不断消散，反向电流也随之减少，最终二极管转为截止。当二极管由截止转为导通时，在P区和N区中积累电荷所需的时间远比t r r小得多，故可以忽略。

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　　因为半导体二极管具有单向导电性，所以它相当于一个受外加电压极性控制的开关。

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　　二极管动态开关特性。在高速开关电路中，需要了解二极管导通与截止间的快速转换过程。