二极管的型号命名通常根据国家标准 GB_249 — 74 规定，由五部分组成。
(fa3MHz ， Pc1W)反映二极管、三极管参数的差别反映二极管、三极管承受反向击穿电压的高低。如
A 、 B 、 C 、 D …其中 A 承受的反向击穿电压最低， B 稍高
第一部分：用数字表示半导体器件有效数目和类型。 1 表示二极管， 2 表示三
第五部分：表示同一型号的改进型产品。具体符号意义如表 5 2 所示。
O光电二极管 或三极管S已在日本电子工业协会注 册登记的 半导体 器件APNP 高频晶体管多 位数 字该器件在日
用符号表示器件的类别 用数字表示 PN 结数目 美国电子工业协会注册标志 美国电子工业协会登记号 用字母表示器分挡
JAN 或 J军用品1二极管N该器件是在美 国电子工业协会注册登记的半导体器件
二极管的型号命名通常根据国家标准 GB_249 — 74 规定，由五部分组成。
(fa3MHz ， Pc1W)反映二极管、三极管参数的差别反映二极管、三极管承受反向击穿电压的高低。如
A 、 B 、 C 、 D …其中 A 承受的反向击穿电压最低， B 稍高
第一部分：用数字表示半导体器件有效数目和类型。 1 表示二极管， 2 表示三
第五部分：表示同一型号的改进型产品。具体符号意义如表 5 2 所示。
O光电二极管 或三极管S已在日本电子工业协会注 册登记的 半导体 器件APNP 高频晶体管多 位数 字该器件在日
用符号表示器件的类别 用数字表示 PN 结数目 美国电子工业协会注册标志 美国电子工业协会登记号 用字母表示器分挡
JAN 或 J军用品1二极管N该器件是在美 国电子工业协会注册登记的半导体器件
本网页内容为用户发布，旨在传播知识，不代表本网认同其观点，若有侵权等问题请及时与本网联系，我们将在第一时间删除处理。E-MAIL: