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1、2.1 二极管的开关特性二极管的开关特性获得高、低电平的根本方法：利用半导体开关元件的获得高、低电平的根本方法：利用半导体开关元件的 导通、截止即开、关两种义务外形。导通、截止即开、关两种义务外形。逻辑逻辑0 0和和1 1： 电子电路中用高、低电平来表示。电子电路中用高、低电平来表示。逻辑门电路：用以实现根本和常用逻辑运算的逻辑门电路：用以实现根本和常用逻辑运算的 电子电路。简称门电路。电子电路。简称门电路。根本和常用门电路有与门、或门、非门反相器、根本和常用门电路有与门、或门、非门反相器、 与非门、或非门、与或非门和异或门等。与非门、或非门、与或非门和异或门等。二极管符号：二极管符号：正极正
3、时间限制了二极管的开关速度。1 1、二极管从正导游通到截止有一个反向恢复过程、二极管从正导游通到截止有一个反向恢复过程2 2、产生反向恢复过程的缘由、产生反向恢复过程的缘由电荷存储效应电荷存储效应 当外加正向电压时，当外加正向电压时，P P区区空穴向空穴向N N分散，分散，N N 区电子区电子向向P P区分散；势垒区逐渐区分散；势垒区逐渐变窄，变窄，P P区存储了电子，区存储了电子，N N区存储了空穴，它们区存储了空穴，它们都是非平衡少数载流子。都是非平衡少数载流子。这一过程称为电荷存储这一过程称为电荷存储效应。效应。当输入电压忽然反向时，存储当输入电压忽然反向时，存储电荷反向电场的作用下，电
4、荷反向电场的作用下， P P区区电子被拉回电子被拉回N N区，区，N N区空穴被区空穴被拉回拉回P P区，构成反向电流区，构成反向电流IRIR；或与多数载流子复合。在此期或与多数载流子复合。在此期间间IRIR根本上坚持不变根本上坚持不变IR=VR/RCIR=VR/RC，经过，经过ts ts后，存后，存储电荷显著减少，势垒区逐渐储电荷显著减少，势垒区逐渐变宽，经过变宽，经过tt tt后，二极管截止。后，二极管截止。2 2、产生反向恢复过程的缘由、产生反向恢复过程的缘由电荷存储效应电荷存储效应 反向恢复时间即存储电荷消逝所需求的时间，反向恢复时间即存储电荷消逝所需求的时间，它远大于正导游通所需求的时间。这就是说，它远大于正导游通所需求的时间。这就是说，二极管的开通时间是很短的，它对开关速度二极管的开通时间是很短的，它对开关速度的影响很小，以致可以忽略不计。的影响很小，以致可以忽略不计。 因此，影响二极管的开关时间主要是反向恢因此，影响二极管的开关时间主要是反向恢 复时间，而不是开通时间。复时间，而不是开通时间。End
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