3.反向电流 IR IR 是指二极管未被反向击穿时的反向电流。理论上 IR =IR（sat） ，但考虑表面 漏电等因素，实际上 IR 稍大一些。IR 愈小，表明二极管的单向导电性能愈好。另 外，IR 与温度密切相关，使用时应注意。 4.最高工作频率 fM fM 是指二极管正常工作时，允许通过交流信号的最高频率。实际应用时，不要 超过此值，否则二极管的单向导电性将显著退化。fM 的大小主要由二极管的电容效 应来决定。 5.二极管的电阻 就二极管在电路中电流与电压的关系而言，可以把它看成一个等效电阻，且有 直流电阻与交流电阻之别。
外，还可分为高频整流二极管、低频整流二极管、大功率整流二极管及中、小功率整流二极 管。 整流二极管具有金属封装、塑料封装、玻璃封装及表面封装等多种形式。应用较多的有 2CZ、4001 等系列，其外形如图 5.7 所示。
（b）4001 系列 图 5.7 整流二极管外形 通常可以采用流过负载的电流和加在负载两端的电压只有半个周期的正弦波的半波整 流。电路图和波形图分别如图 5.8(a)和 5.8(b)所示。
(b)波形图 图 5.8 单相半波整流电路及波形图 2.检波二极管 检波 （也称解调） 二极管的作用是利用其单向导电性将高频或中频无线电信号中的低频 信号或音频信号取出来。 检波二极管广泛应用于半导体收音机、收录机、电视机及通信等设备的小信号电路中， 其工作频率较高，处理信号幅度较弱。常用的国产检波二极管有 2AP 系列锗玻璃封装二极 管，其外形如图 5.9 所示。
图 5.9 检波二极管外形 3.稳压二极管 硅稳压二极管简称稳压管，是一种特殊的二极管，它与电阻配合具有稳定电压的特点。 1） 稳压管的伏安特性 通过实验测得稳压管伏安特性曲线、符号与典型实物如图 5.10 所示。
（c）典型实物 图 5.10 稳压管伏安特性曲线、符号与典型实物 从特性曲线可以看到，稳压管正向偏压时，其特性和普通二极管一样；反向偏压时，开 始一段和二极管一样，当反向电压达到一定数值以后，反向电流突然上升， 而且电流在一 定范围内增长时，管两端电压只有少许增加，变化很小，具有稳压性能。这种―反向击穿‖ 是可恢复的， 只要外电路限流电阻保障电流在限定范围内， 就不致引起热击穿而损坏稳压管。 2）稳压管的主要参数 稳压二极管的主要参数有： (1)稳定电压 UZ 稳定电压实际上就是稳压二极管的击穿电压。 通常是指管子电流为规定值时， 管子的两 端的电压值，不同型号管子有不同的稳定电压值，以适应各种不同的使用要求。即使同一型 号管子，由于工艺分散性也不尽相同，使用时要挑选。 (2)稳定电流 IZ 它通常是指稳压二极管工作于击穿区的最小工作电流，在使用时工作电流应大于此值， 这样才能具有较好的稳压作用。 (3) 额定功耗 PZ 它是由管子温度所限定的参数，与 PN 结的材料、结构及工艺有关。为保证管子不致因 过热而损坏，使用中不允许超过此值。 3）稳压二极管的应用 稳压二极管用来构成的稳压电路，如图 5.11 所示。UI 是不稳定的可变直流电压，希望 得到稳定的电压 UO ，故在两者之间加稳压电路。它由限流电阻 R 和稳压管 VDZ 构成， RL 是负载电阻。
四个电极 M 的器件 3.美国半导体器件的命名方法 美国电子工业协会半导体分立器件命名型号由五部分组成。 第一部分为前缀； 第二部分、第三部分、第四部分为型号基本部分； 第五部分为后缀；这五部分符号及意义如表 5.3 所示。 表 5.3 美国半导体器件的命名 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 用符号表示器 用数字表示 PN 美国电子工业 美国电子工业协 件的类别 结数目 协会注册标志 会登记号 3 序号 JAN 或J 无 意义 军用品 非军用 品 符号 1 2 3 意义 二极管 三极管 三个 PN 结 器件 N 个 PN 结器件 序 号 N 意义 该器件是 在美国电 子工业协 会注册登 记的半导 体器件 序 号 多 位 数 字 意义 该器件在 美国电子 工业协会 的注册登 记号
5.2 晶体二极管的主要参数 描述二极管特性的物理量称为二极管的参数，它是反映二极管电性能的质量指 标，是合理选择和使用二极管的主要依据。在半导体器件手册或生产厂家的产品目 录中，对各种型号的二极管均用表格列出其参数。二极管的主要参数有以下几种： 1.最大平均整流电流 IF（AV） IF（AV）是指二极管长期工作时，允许通过的最大正向平均电流。它与 PN 结 的面积、材料及散热条件有关。实际应用时，工作电流应小于 IF（AV） ，否则，可能 导致结温过高而烧毁 PN 结。 2.最高反向工作电压 VRM VRM 是指二极管反向运用时，所允许加的最大反向电压。实际应用时，当反向 电压增加到击穿电压 VBR 时，二极管可能被击穿损坏，因而，VRM 通常取为（1/2～ 2/3）VBR。
u i rd 亦随工作点而变化，是非线性电阻。通常，二极管的交流正向电阻在几～几十欧 姆之间。需要指出的是，由于制造工艺的限制，即使是同类型号的二极管，其参数 的分散性很大。通 常半导体手册上给出的参数都是在一定测试条件下测出的，使用时应注意条件。 5.3 晶体二极管的分类 rd
二极管的型号命名通常根据国家标准 GB-249-74 规定，由五部分组成。 第一部分用数字表示器件电极的数目； 第二部分用汉语拼音字母表示器件材料和极性； 第三部分用汉语拼音字母表示器件的类型； 第四部分用数字表示器件序号； 第五部分用汉语拼音字母表示规格号。如表 5.1 所示。
图 5.11 稳压管稳压电路 4.发光二极管 发光二极管是一种将电能直接转换成光能的固体器件， 简称 LED(Light Emitting Diode)。 发光二极管和普通二极管相似，也由一个 PN 结组成。发光二极管在正向导通时，由于空穴 和电子的复合而发出能量，发出一定波长的可见光。光的波长不同，颜色也不同。常见的 LED 有红、绿、黄等颜色。发光二极管的驱动电压低、工作电流小，具有很强的抗振动和 抗冲击能力。由于发光二极管体积小、可靠性高、耗电省、寿命长，被广泛用于信号指示等 电路中。 发光二极管通常有以下几种： (1)普通发光二极管 普通发光二极管工作在正偏状态。检测发光二极管，一般用万用表 R×10k(Ω )挡，方法 和普通二极管一样，一般正向电阻 15kΩ 左右，反向电阻为无穷大。 (2)红外线发光二极管 红外线发光二极管工作在正偏状态。用万用表 R×1k(Ω )挡检测，若正向阻值在 30kΩ 左右，反向为无穷大，则表明正常，否则红外线发光二极管性能变差或损坏。 (3)激光二极管 根据内部构造和原理， 判断激光二极管好坏的方法是通过测试激光二极管的正、 反向电 阻来确定好坏。若正向电阻为 20～30kΩ ，反向电阻为无穷大，说明正常，否则，要么激光 二极管老化，要么损坏。 1）发光二极管的伏安特性 发光二极管的伏安特性、符号与典型实物如图 5.12 所示。它和普通二极管的伏安特性 相似，只是在开启电压和正向特性的上升速率上略有差异。当所施加正向电压 UF 未达到开 启电压时，正向电流几乎为零，但电压一旦超过开启电压时，电流急剧上升。发光二极管的 开启电压通常称做正向电压，它取决于制作材料的禁带宽度。例如 GaAsP 红色 LED 约为 1.7V，而 GaP 绿色的 LED 则约为 2.3V。LED 的反向击穿电压一般大于 5V，但为使器件长 时间稳定而可靠的工作，安全使用电压选择在 5 V 以下。
第五部分 意义 反映二极 管、 三极管 承受反向 击穿电压 的高低。 如 A、B、C、 D…其中 承受的反 向击穿电 压最低，B 稍高
第五部分 用字母表示器件 分挡 序号 A B C D . . . 意义 同一型号 器件的不 同挡别
实际的二极管伏安特性曲线 所示， 实线对应硅材料二极管， 虚线对应锗材料二极管。
图 5.5 二极管的伏安特性曲线.正向特性 当二极管承受正向电压小于某一数值(称为死区电压)时，还不足以克服 PN 结内电场对 多数载流子运动的阻挡作用，这一区段二极管正向电流 IF 很小，称为死区。死区电压的大 小与二极管的材料有关，并受环境温度影响。通常，硅材料二极管的死区电压约为 0.5V， 锗材料二极管的死区电压约为 0.1V。 当正向电压超过死区电压值时，外电场抵消了内电场，正向电流随外加电压的增加而 明显增大，二极管正向电阻变得很小。当二极管完全导通后，正向压降基本维持不变，称为 二极管正向导通压降 UF。一般硅管的 UF 为 0.7V，锗管的 UF 为 0.3V。以上是二极管的正向 特性。 2.反向特性 当二极管承受反向电压时，外电场与内电场方向一致，只有少数载流子的漂移运动，形 成的漏电流 IR 极小，一般硅管的 IR 为几微安以下，锗管 IR 较大，为几十到几百微安。这时 二极管反向截止。 当反向电压增大到某一数值时，反向电流将随反向电压的增加而急剧增大，这种现象 称二极管反向击穿。击穿时对应的电压称为反向击穿电压。普通二极管发生反向击穿后，造 成二极管的永久性损坏，失去单向导电性。以上是二极管的反向特性。
2.日本半导体器件的命名方法 日本半导体器件命名型号由五部分组成。 第一部分用数字表示半导体器件有效数目和类型。1 表示二极管，2 表示三极管； 第二部分用 S 表示已在日本电子工业协会登记的半导体器件； 第三部分用字母表示该器件使用材料、极性和类型； 第四部分表示该器件在日本电子工业协会的登记号； 第五部分表示同一型号的改进型产品。具体符号意义如表 5.2 所示。 表 5.2 日本半导体器件的命名 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分 序 号 0 意义 光电二极 管或三极 管 二极管 三极管或 有三个电 极的其他 器件 符 号 S 意义 已在日 本电子 工业协 会注册 登记的 半导体 器件 序 号 A B C D E G H J 意义 PNP 高频晶体管 NP 低频晶体管 NPN 高频晶体管 NPN 低频晶体管 P 控制极可控硅 N 控制极可控硅 N 基极单结晶管 P 沟道场效应管 N 沟道场效应管 双向可控硅 序 号 多 位 数 字 意义 该器件 在日本 电子工 业协会 的注册 登记号 序 号 A B C D . 意义 该器件 为原型 号产品 的改进 产品
直流电阻定义为加在二极管两端的直流电压 UD 与流过二极管的直流电流 ID 之 比，即
RD 的大小与二极管的工作点有关。通常用万用表测出来的二极管电阻即直流电阻。
不过应注意的是，使用不同的欧姆档测出来的直流等效电阻不同。其原因是二极管 工作点的位置不同。一般二极管的正向直流电阻在几十欧姆到几千欧姆之间，反向 直流电阻在几十千欧姆到几百 千欧姆之间。正反向直流电阻差距越大，二极管的单向导电性能越好。
二极管按材料分有：硅二极管、锗二极管、砷二极管等。 按结构不同有点接触二极管、面接触二极管，外形如图 5.6 所示。
（a）接触二极管 (b)面接触二极管 图 5.6 二极管外形 按用途分有：整流二极管、检波二极管、稳压二极管、变容二极管、发光二极管、光电 二极管等。 无论构成二极管的材料如何、结构如何、特性如何，二极管均具有单向导电性和非线.整流二极管 整流二极管的主要功能是将交流电转换成脉动直流电。 整流二极管除有硅管和锗管之分