由于半导体二极管具有单向导电性，在半导体PN结加上正向偏压后，在导通状态下，电阻很小〔几十到几百欧〕；加上反向偏压后截止，其电阻很大〔硅管在一百兆欧以上，锗管也有几十千欧至几百千欧。〕。
习惯上人们把开关二极管从截止〔高阻状态〕到导通〔低阻状态〕的时间叫开通时间；从导通到截止的时间叫反向恢复时间；两个时间之和称为开关时间。一般反向恢复时间大于开通时间，故在开关二极管的使用参数上只给出反向恢复时间。开关二极管开关速度相当快，一般硅开关二极管反向恢复时间只有几纳秒，锗开关二极管也不过几百纳秒。
当开关二极管两端的反向电压超过规定的值时，可能会使二极管击穿。决定开关二极管上线的是最高反向工作电压，这个反向电压不能超过规定值，否如此必然损毁。
电路如如下图所示，当电源接通后， 电源通过限流电阻R1向电容C充电，当C两端的电压上升到FLD管的转折电压时，FLD管由截止突变为导通状态，电容C上储存的电荷通过FLD向负载R2放电。当放电电流下降到维持电流IH以下时，FLD管由导通便为截止。电容C又继续充电，如此周而复始，形成X驰振荡，在R2两端输出毫微秒前沿的高速高压脉冲，其波形如如下图所示。
▲双向电压二极管简称DAC管，它由NPNPN五层结构的硅半导体材料组成，故又称为五层二极管。其正向和反向均具有一样的负阻开关特性。如下图是它的伏安特性和电路图形符号：
FLD管和DAC管一般按转折电压Us值分档，Us值在6V—280VX围内。表中列出的是单向管K130和双向管2CTK的具体参救，仅供参考。
电路如如下图所示，电容C和FLD管形成的负阻振荡．经升压变压器升高后输出高压，选用不同的脉冲变压器初，次级匝数比，可获得几百到几万伏的电压。当选用图六所示元器件时，可以输出1.5万伏高压脉冲，振荡频率为3次／秒。
它是一种新型半导体器件，有单向电压开关二极管和双向电压开关二极管之分，主要应用脉冲发生器，过压保护器等。
▲单向电压开关二极管简称FLD，它是由PNPN四层结构的硅半导体材料组成，故又称为四层二极管，也有人称它为转折二极管。其正向为负阻电压开关特性〔指当外加电压升高到正向转折电压值时，开关二极管由截止状态变为导通状态，即由高阻转为低阻〕，反向为稳压特性。如下图是它的伏安特性和电路图形符号：
由于开关二极管的开关时间为开通时间和反向恢复时间的总和，开通时间是开关二极管从截止至导通所需时间，开通时间很短，一般可以忽略；反向恢复时间是导通到截止所用时间，反向恢复时间远大于开通时间。因此反向恢复时间为开关二极管主要参数。一般硅开关二极管的反向恢复时间小于3ns——10ns；锗开关二极管的反向恢复时间要长一些。
上图中，Us为正向转折电压,当外加电压升高到Us值时，FLD管将由原先的截止状态向导通状态转化， 即二极管由高阻转为低阻，这种特性就称为负阻开关特性；
IH为维持电流，当二极管的导通电流下降到IH以下时，二极管将由导通状态转化为截止状态；