由于半导体二极管具有单向导电性，在半导体PN结加上正向偏压后，在导通状态下，电阻很小〔几十到几百欧〕；加上反向偏压后截止，其电阻很大〔硅管在一百兆欧以上，锗管也word
由于半导体二极管具有单向导电性，在半导体PN结加上正向偏压后，在导通状态下，电阻很小〔几十到几百欧〕；加上反向偏压后截止，其电阻很大〔硅管在一百兆欧以上，锗管也有几十千欧至几百千欧。〕。
习惯上人们把开关二极管从截止〔高阻状态〕到导通〔低阻状态〕的时间叫开通时间；从导通到截止的时间叫反向恢复时间；两个时间之和称为开关时间。一般反向恢复时间大于开通时间，故在开关二极管的使用参数上只给出反向恢复时间。开关二极管开关速度相当快，一般硅开关二极管反向恢复时间只有几纳秒，锗开关二极管也不过几百纳秒。
反向击穿电压均在220V以上，但其零偏压电容和反向恢复时间值相对较大。
它是一种新型半导体器件，有单向电压开关二极管和双向电压开关二极管之分，主要应用脉冲发生器，过压保护器等。
▲单向电压开关二极管简称FLD，它是由PNPN四层结构的硅半导体材料组成，故又称为四层二极管，也有人称它为转折二极管。其正向为负阻电压开关特性〔指当外加电压升高到正向转折电压值时，开关二极管由截止状态变为导通状态，即由高阻转为低阻〕，反向为稳压特性。如下图是它的伏安特性和电路图形符号：
上图中，Us为正向转折电压,当外加电压升高到Us值时，FLD管将由原先的截止状态向导通状态转化， 即二极管由高阻转为低阻，这种特性就称为负阻开关特性；
IH为维持电流，当二极管的导通电流下降到IH以下时，二极管将由导通状态转化为截止状态；
▲双向电压二极管简称DAC管，它由NPNPN五层结构的硅半导体材料组成，故又称为五层二极管。其正向和反向均具有一样的负阻开关特性。如下图是它的伏安特性和电路图形符号：
FLD管和DAC管一般按转折电压Us值分档，Us值在6V—280VX围内。表中列出的是单向管K130和双向管2CTK的具体参救，仅供参考。
由于开关二极管的开关时间为开通时间和反向恢复时间的总和，开通时间是开关二极管从截止至导通所需时间，开通