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开关二极管的种类和主要参数pdf
栏目:公司新闻 发布时间:2024-04-23
 开关二极管的种类和主要参数 由于半导体二极管具有单向导电性,在半导体 PN结加上正向偏压后,在导通状态下,电阻 很小 ( 几十到几白 欧) ;加上反向偏 压后截止,其电阻很大 ( 硅管在一白兆 欧以上,错管也有 几十千欧至 几白千欧。 ) 。 习惯上人们把开关二极管从截止 ( 高阻状态 ) 到导通 ( 低阻状态 ) 的时间叫开通时间;从 导通到截 止的时间叫反向恢复时间;两个时间之和称为开关时

  开关二极管的种类和主要参数 由于半导体二极管具有单向导电性,在半导体 PN结加上正向偏压后,在导通状态下,电阻 很小 ( 几十到几白 欧) ;加上反向偏 压后截止,其电阻很大 ( 硅管在一白兆 欧以上,错管也有 几十千欧至 几白千欧。 ) 。 习惯上人们把开关二极管从截止 ( 高阻状态 ) 到导通 ( 低阻状态 ) 的时间叫开通时间;从 导通到截 止的时间叫反向恢复时间;两个时间之和称为开关时间。一般反向恢复时间大于开通 时间,故在开关 二极管的使用参数上只给出反向恢复时间。开关二极管开关速度相当快,一般 硅开关二极管反向恢复 时间只有几纳秒,错开关二极管也不过几白纳秒。 开关二极管的分类: (1) 普通开关二极管 常用的进口普通开关二极管有 1N系列、 1S系列等。 (2) 高频开关二极管 比普通开关二极管的反向恢复时间更短,开关频率更快。 (3) 低功耗开关二极管 功耗较低,但其零偏压电容和反向恢复时间值都比高频开关二极管低。 (4) 高反压开关二极管 反向击穿电压均在 220V 以上,但其零偏 压电容和反向恢复时间值相对较大。 (5) 硅电压开关二极管 它是一种新型半导体器件,有单向电压开关二极管和双向电压开关二极管之分,主要应用 脉冲 发生器,过压保护器等。 ▲单向电压开关二极管简称 FLD它是由 PNP帕层结构的硅半导体材料组成,故乂称为四 层二极 管,也有人称它为转折二极管。 其正向为负阻电压开关特性 ( 指当外加电压升高到正向 转折电压值 时,开关二极管由截止状态变为导通状态,即由高阻转为低阻 ) ,反向为稳压特性。 下图是它的伏安 特性和电路图形符号: a[i&&4 Q 上图中, Us 为正向转折电压,当外加电压升高到 Us 值时, FLD管将由原先的截止状态向导 通状 态转化, 即二极管由高阻转为低阻,这种特性就称为负阻开关特性; Is 为开启电流,也就是发生电压转折时的最大截止电流; It 为通态电流,当二极管的电流为 It 时的压降,就称为通态压降 UT; I H 为维持电流,当二极管的导通电流下降到 I H 以下时,二极管将由导通状态转化为截止 状态; I B 为反向稳压值; AB之间的一段曲线表示二极管由截止变为导通,或由导通变为截止的过渡过程,这个过程 变化 极快,导通时间一般为 0.2 — 0.3 微秒,关断时间 15 — 30 微秒。 ▲双向电压二极管简称 DAC?,它由 NPNP盅层结构的硅半导体材料组成,故乂称为五层 二极管。 其正向和反向均具有相同的负阻开关特性。下图是它的伏安特性和电路图形符号: FLD 管和 DA审一般按转折电压 Us值分档, Us 值在 6V— 280V 范围内。表中列出的是单向 管 K130和 双向管 2CTK的具体参救,仅供参考。 两种硅电压开关二极管主要参数 通态 维持 开启 电 通态 浪痛 1 转折电压 压降 电流 流 电流 电流 会数名称 - 芝介、、 I H 1 IT JfSM 型号 Us (V) (V) (mA) (mA) (A) (A) K130 12。? 140 1.5 100 0-2 1 10 20 2 CTK 80 ? 300 1.5 100 0.2 1 注; K13 。系列按转折电压分档,锥隔 2QV 为一档 ? 例 如 K130 上一挡为 K15L 下一档为 KUO &U&&4U 衡量开关二极管好坏的参数 : (1) 反向恢复时间 由丁开关二极管的开关时间为开通时间和反向恢复时间的总和,开通时间是开关二极管 从截 止至导通所需时间,开通时间很短,一般可以忽略;反向恢复时间是导通到截止所用时 问,反向恢 复时间远大丁开通时间。因此反向恢复时间为开关二极管主要参数。一般硅开关 二极管的反向恢复 时间小丁 3ns—— 10ns ;错开关二极管的反向恢复时间要长一些。 (2) 反向击穿电压 当开关二极管两端的反向电压超过规定的值时,可能会使二极管击穿。决定开关二极管 上线 的是最高反向工作电压,这个反向电压不能超过规定值,否则必然损毁。 (3) 正向整流电流 也就是指当开关二极管在正向工作电压下工作时,允许通过它的正向电流。 应用举例: 一、脉冲发生器 电路如下图所示,当电源接通后, 电源通过限流电阻 R1 向电容 C充电,当 C两端的电压 上升到 FLD管的转折电压时, FLD管由截止突变为导通状态,电容 C 上储存的电荷通过 FLD 向负 载 R2放电。 当放电电流下降到维持电流 I H 以下时, FLD管由导通便为截止。电容 C乂继续充电, 如此周而复始, 形成张驰振荡,在 R2两端输出毫微秒前沿的高速高压脉冲,其波形如下图所示。 二、高压发生器 电路如下图所示,电容 C和 FLD管形成的负阻振荡 . 经升压变压器升高后输出高压,选用 不同 的脉冲变压器初,次级匝数比,可获得几白到几万伏的电压。当选用图六所示元器件时, 可以输出 1.5 万伏高压脉冲,振荡频率为 3 次/ 秒。

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