新加坡商格罗方德半导体取得二极管装置及形成二极管装置的方法专利
栏目：公司新闻 发布时间：2025-03-29
金融界2025年1月8日消息，国家知识产权局信息显示，新加坡商格罗方德半导体私人有限公司取得一项名为“二极管装置及形成二极管装置的方法”的专利，授权公告号 CN 114361284 B，申请日期为2021年9月。 特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。 CQ9电子游戏平台 CQ9电子官方入口 痛心! 刚刚, 20岁中
金融界2025年1月8日消息，国家知识产权局信息显示，新加坡商格罗方德半导体私人有限公司取得一项名为“二极管装置及形成二极管装置的方法”的专利，授权公告号 CN 114361284 B，申请日期为2021年9月。
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
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