(1) 开启时间ton 三极管从截止到饱和所需的时间。 ton = td tr td ：延迟时间 tr ：上升时间 (2) 关闭时间toff 三极管从饱和到截止所需的时间。 toff = ts tf ts ：存储时间（几个参数中最长的；饱和越深越长） tf ：下降时间 toff ton 。 开关时间一般在纳秒数量级。高频应用时需考虑。
二极管与门 二极管或门 关于高低电平的概念及状态赋值 二极管非门（反相器） 二极管非门（反相器） 关于正逻辑和负逻辑的概念
门电路的概念： 实现基本和常用逻辑运算的电子电路，叫逻辑 门电路。实现与运算的叫与门，实现或运算的叫或 门，实现非运算的叫非门，也叫做反相器，等等。 分立元件门电路和集成门电路: 分立元件门电路：用分立的元件和导线连接起 来构成的门电路。简单、经济、功耗低，负载差。 集成门电路：把构成门电路的元器件和连线都 制作在一块半导体芯片上，再封装起来，便构成了 集成门电路。现在使用最多的是CMOS和TTL集成门 电路。 2010-9-14 16
5. 逻辑符号 6. 工作波形(又一种表示逻辑功能的方法） 7. 逻辑表达式 F＝A B ＝
1. 静态特性及开关等效电路 在数字电路中，三极管作为开关元件，主要 工作在饱和和截止两种开关状态，放大区只是极 短暂的过渡状态。
图2-3三极管的三种工作状态 （a）电路 （b）输出特性曲线) 截止状态 条件：发射结反偏 特点：电流约为0
3. 逻辑赋值并规定高低电平 用逻辑1表示高电平（此例为≥3V 1 ≥3V） 用逻辑0表示低电平（此例为≤0.7V 0 ≤0.7V） 4. 线. 静态特性及开关等效电路 正向导通时 UD(ON)≈0.7V（硅） 0.3V（锗） RD≈ ≈几 ～几十 相当于开关闭合
反向截止时 反向饱和电流极小 反向电阻很大（约几百kΩ） 相当于开关断开
2. 逻辑状态赋值 在数字电路中，用逻辑0和逻辑1分别表示输入、 输出高电平和低电平的过程称为逻辑赋值。 经过逻辑赋值之后可以得到逻辑电路的真值表， 便于进行逻辑分析。
客观世界中，没有理想开关。 乒乓开关、继电器、接触器等的静态特性十分 接近理想开关，但动态特性很差，无法满足数字电 路一秒钟开关几百万次乃至数千万次的需要。 半导体二极管、三极管和MOS管做为开关使用 时，其静态特性不如机械开关，但动态特性很好。
1. 正负逻辑的规定 正逻辑体系：用1表示高电平，用0表示低电平。 负逻辑体系：用1表示低电平，用0表示高电平。 2. 正负逻辑的转换 对于同一个门电路，可以采用正逻辑，也可以采 用负逻辑。 本书若无特殊说明，一律采用正逻辑体制。 同一个门电路，对正、负逻辑而言，其逻辑功能 是不同的。
理想化 伏安特 性曲线 二极管的开关等效电路 (a) 导通时 (b) 截止时
2. 动态特性： 二极管从截止变为导通和从导通变为截止都需 要一定的时间。通常后者所需的时间长得多。 反向恢复时间tre ：二极管从导通到截止所需的时 间。 一般为纳秒数量级（通常tre ≤5ns ）。 若输入信号频率过高，二极管会双向导通，失去 单向导电作用。因此高频应用时需考虑此参数。
1. 关于高低电平的概念 电位指绝对电压的大小；电平指一定的电压范 围。 高电平和低电平：在数字电路中分别表示两段电 压范围。 例：上面二极管与门电路中规定高电平为≥3V， 低电平≤0.7V。 又如，TTL电路中，通常规定高电平的额定值为 3V，但从2V到5V都算高电平；低电平的额定值为0.3V， 但从0V到0.8V都算作低电平。
理想开关的开关特性： (1) 静态特性： 断开时，开关两端的电压不管多大，等效电阻 ROFF = 无穷，电流IOFF = 0。 闭合时，流过其中的电流不管多大，等效电阻 RON = 0，电压UAK = 0。 (2) 动态特性：开通时间 ton = 0 关断时间 toff = 0
请回忆实现与、或、非逻辑的开关电路形式？ 它们有何共同特点？ 开关电路与逻辑电路是如何联系起来的？
数字电路中的晶体二极管、三极管和MOS管工作 在开关状态。 导通状态：相当于开关闭合 截止状态：相当于开关断开。 逻辑变量←→两状态开关： 在逻辑代数中逻辑变量有两种取值：0和1； 电子开关有两种状态：闭合、断开。 半导体二极管、三极管和MOS管，则是构成这 种电子开关的基本开关元件。