功率半导体分立器件指额定电流不低于1A，或额定功率不低于1W的半导体分立器件。功率半导体分立器件可以进一步划分为功率二极管、功率晶体管和功率晶闸管三类，其中BIT、GTR、MOSFET和IGBT均属于功率晶体管的范畴，SCR、GTO和IGCT则属于功率晶闸管的范围内。功率二极管具有结构和原理简单、工作可靠的优势;而功率晶闸管承受电压和电流容量在所有器件中最高;MOSFET的优势在于开关速度快、输入阻抗高、热稳定性好、所需驱动功率小且驱动电路简单、工作频率高以及不存在二次击穿问题等方面;IGBT则具有开关速度高、开关耗小、具有耐脉冲电流冲击的能力、通态压降较低、输入阻抗高、为电压驱动以及驱动功率小等优点。
功率半导体分立器件制造流程涉及多道工序，从功率器件代表性厂商的生产制造来看，多数厂商通常具备材料检验后的完整工艺能力，而芯片制造环节中则依旧有部分工序的产品需要采购或外协。
功率器件向下游具有较为广泛的应用，按照产品的工作频率和功率不同，不同的细分产品则对下游应用环节各有侧重，具体情况如下：
根据ICWISE的数据，当前我国已出现了一批营收规模较大、具有技术领先地位的功率器件厂商，2023年，按照营收统计，闻泰科技子公司安世半导体占据了中国功率器件行业的首位。
根据Statista的数据，在新能源汽车、5G、消费电子等行业需求的拉动下，2019-2024年期间，中国功率器件行业市场规模呈波动上升趋势，初步统计2024年市场规模接近1800亿元。
更多本行业研究分析详见前瞻产业研究院《全球及中国MOSFET（功率器件）行业发展前景与投资战略规划分析报告》
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