常用二极管知识图解
栏目：公司新闻 发布时间：2025-01-16
扩散区内，电荷的积累和释放过程与电容器充放电过程相同，这种电容效应成为扩散电容Cd。它与流过PN结的正向电流i，温度的电压当量UT以及非平衡少子的寿命t有关。i越大、t越大、UT越小，Cd就越大。结电容Cj = Cb+Cd，结电容通常为（1pF-几百pF），对低频信号大容抗，只有在信号频率高时才考虑结电容作用。即高频情况下，二极管可以等效为一个理想二极管与一个电容的并联，这个并联的电容会对电路
扩散区内，电荷的积累和释放过程与电容器充放电过程相同，这种电容效应成为扩散电容Cd。它与流过PN结的正向电流i，温度的电压当量UT以及非平衡少子的寿命t有关。i越大、t越大、UT越小，Cd就越大。结电容Cj = Cb+Cd，结电容通常为（1pF-几百pF），对低频信号大容抗，只有在信号频率高时才考虑结电容作用。即高频情况下，二极管可以等效为一个理想二极管与一个电容的并联，这个并联的电容会对电路产生影响。
③反向电流IR 未击穿时的反向电流。IR越小，二极管的单向导电性越好，对温度非常敏感。④最高工作频率fM 工作的上限截止频率，超过此值时，由于结电容二极管将不能很好体现单向导电性。