SCS2xxAN（650V）和SCS2xxKN（1,200V）是采用小型表贴封装、实现了宽爬电距离的SiC肖特基势垒。虽为小型表贴封装，但通过确保足够的爬电距离，可减轻采取特殊绝缘对策（灌封处理）的负担。

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　　・车载设备车载充电器（OBC）、DC-DC转换器、HV加热器（PTC加热器）等。

　　・工业设备工业机器人AC伺服、光伏逆变器充电桩、不间断电源装置（UPS）等。

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　　的工作原理基于金属和半导体之间的能带结构差异。在金属和N型半导体之间形成的

　　全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出引脚间爬电距离*

　　（以下简称“SBD”）。目前产品阵容中已经拥有适用于车载充电器（OBC

　　的工作原理和优缺点 /

　　（Schottky Barrier Diode，缩写为SBD），是一种基于金属-半导体结（M-S结）的特殊

　　的结构和封装形式 /

　　，而非传统的PN结。这种特殊的结构赋予了SBD独特的电气特性，使其在高频和高效率的电子电路中具有重要的应用。 Si-SBD（硅

　　的特征有什么 /

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　　SCS2xxAN(650V)和SCS2xxKN(1,200V)SiC肖特基势垒二极管介绍

　　基于兆易创新GD32G553系列MCU的单通道可编程高精度直流源表设计

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