二极管是用半导体材料制成的一种电子器件，由PN结、外部引线、管壳封装而成，文字符号为VD。二极管有两个电极，由P区引出的电极称为阳极（正极），由N区引出的电极称为阴极（负极）；因为PN结的单向导电性，二极管导通时电流方向是由阳极通过管子内部流向阴极。
二极管的主要原理就是利用PN结的单向导电性，其本质是在外加正向电压的作用下，P区中的空穴和N区的电子在不断进行扩散运动，两者与PN结处中的正负离子不断进行中和，从而使PN结范围不断变窄，最后导通。
1、根据半导体材料来划分，有两种，分别是锗二极管(Ge管)、硅二极管(Si管)。
2、根据用途来划分有九种，分别是检波二极管、整流二极管、齐纳二极管、开关二极管、隔离二极管、肖特基二极管、发光二极管、硅功率开关二极管、旋转二极管等。
3、根据管芯结构划分有三种，分别是点接触型二极管、面接触型二极管和平面型二极管。
Cj---结(极间)电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容
CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比
IF---正向直流电流(正向测试电流)。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流;硅整流管。硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值),硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流;测稳压二极管正向电参数时给定的电流
IFM(IM)---正向峰值电流(正向最大电流)。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。
Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流
IR(In)---反向直流电流(反向漏电流)。在测反向特性时，给定的反向电流;硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流;硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流;稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流;整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。
Iz---稳定电压电流(反向测试电流)。测试反向电参数时，给定的反向电流
IOM---最大正向(整流)电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流;在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流
PZM---最大耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的最大功率
RF(r)---正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下，电压增加微小量△V,正向电流相应增加△I,则△V/△I称微分电阻
Cj---结(极间)电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容
CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比
IF---正向直流电流(正向测试电流)。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流;硅整流管。硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值),硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流;测稳压二极管正向电参数时给定的电流
IFM(IM)---正向峰值电流(正向最大电流)。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。
Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流
IR(In)---反向直流电流(反向漏电流)。在测反向特性时，给定的反向电流;硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流;硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流;稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流;整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。
Iz---稳定电压电流(反向测试电流)。测试反向电参数时，给定的反向电流
IOM---最大正向(整流)电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流;在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流
不同的二极管符号代表着特定的二极管类型。看二极管电路图的时候，怎样去分辨哪些是肖特基二极管，哪些是整流二极管？