台亚半导体申请发光二极管结构专利增加与固晶元件的接触面积
栏目：公司新闻 发布时间：2024-12-10
金融界2024年10月18日消息，国家知识产权局信息显示，台亚半导体股份有限公司申请一项名为“发光二极管结构”的专利，公开号CN 118782716 A，申请日期为2023年9月。 专利摘要显示，本发明提供一种发光二极管结构，该发光二极管结构设置于固晶元件上。该发光二极管结构包括基板、半导体发光结构和电极。基板包括相对的第一面和第二面，且基板通过第一面接触固晶元件；半导体发光结构位于基板的第
金融界2024年10月18日消息，国家知识产权局信息显示，台亚半导体股份有限公司申请一项名为“发光二极管结构”的专利，公开号CN 118782716 A，申请日期为2023年9月。
专利摘要显示，本发明提供一种发光二极管结构，该发光二极管结构设置于固晶元件上。该发光二极管结构包括基板、半导体发光结构和电极。基板包括相对的第一面和第二面，且基板通过第一面接触固晶元件；半导体发光结构位于基板的第二面上，且半导体发光结构包括发光面；电极位于发光面上。其中，基板的第一面形成非平整面，以增加与固晶元件的接触面积。
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