半导体二极管主要是依靠PN结而工作的。与PN结不行分割的点接触型和肖特基型，也被列入一般的二极管的范围内。包括这两种型号在内，依据PN构造造面的特点，把晶体二极管分类如下：
点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后，再通过电流法而形成的。因此，其P
N结的静电容量小，适用于高频电路。但是，与面结型相比较，点接触型二极管正向特性和反向特性都差，因此，不能使用于大电流和整流。由于构造简洁，所以价格廉价。对于小信号的检波、整流、调制、混频和限幅等一般用途而言，它是应用范围较广的类型。
键型二极管是在锗或硅的单晶片上熔接或银的细丝而形成的。其特性介于点接触型二极管和合金型二极管之间。与点接触型相比较，虽然键型二极管的PN结电容量稍有增加，但正向特性特别优良。多作开关用，有时也被应用于检波和电源整流〔不大于50mA〕。在键型二极管中，熔接金丝的二极管有时被称金键型，熔接银丝的二极管有时被称为银键型。
在N型锗或硅的单晶片上，通过合金铟、铝等金属的方法制作PN结而形成的。正向电压降小，适于大电流整流。因其PN结反向时静电容量大，所以不适于高频检波和高频整流。
在高温的P型杂质气体中，加热N型锗或硅的单晶片，使单晶片外表的一部变成P型，以此法PN结。因PN结正向电压降小，适用于大电流整流。最近，使用大电流整流器的主流已由硅合金型转移到硅集中型。
PN结的制作方法虽然与集中型一样，但是，只保存PN结及其必要的局部，把不必要的局部用药品腐蚀掉。其剩余的局部便呈现出台面形，因而得名。初期生产的台面型，是对半导体材料使用集中法而制成的。因此，又把这种台面型称为集中台面型。对于这一类型来说，似乎大电流整流用的产品型号很少，而小电流开关用的产品型号却很多。
在半导体单晶片〔主要地是N型硅单晶片〕上，集中P型杂质，利用硅片外表氧化膜的屏蔽作用，在N型硅单晶片上仅选择性地集中一局部而形成的PN结。因此，不需要为调整PN结面积的药品腐蚀作用。由于半导体外表被制作得平坦，故而得名。并且，PN结合的外表，因被氧化膜掩盖，所以公认为是稳定性好和寿命长的类型。最初，对于被使用的半导体材料是承受外延法形成的，故又把平面型称为外延平面型。对平面型二极管而言，似乎使用于大电流整流用的型号很少，而作小电流开关用的型号则很多。
它是合金型的一种。合金材料是简洁被集中的材料。把难以制作的材料通过奇异地掺配杂质，就能与合金一起过集中，以便在已经形成的PN结中获得杂质的恰当的浓度分布。此法适用于制造高灵敏度的变容二极管。
用外延面长的过程制造PN结而形成的二极管。制造时需要格外超群的技术。因能随便地掌握杂质的不同浓度的分布，故适宜于制造高灵敏度的变容二极管。
根本原理是：在金属〔例如铅〕和半导体〔N型硅片〕的接触面上，用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。其特长是：开关速度格外快：反向恢复时间trr特别地短。因此，能制作开关二极和低压大电流整流二极管。
就原理而言，从输入信号中取出调制信号是检波，以整流电流的大小〔100mA〕作为界限通常把输出电流小于100mA的叫检波。锗材料点接触型、工作频率可达400MHz，正向压降小，结电容小，检波效率高，频率特性好，为2AP型。类似点触型那样检波用的二极管，除用于检波外，还能够用于限幅、削波、调制、混频、开关等电路。也有为调频检波专用的特性全都性好的两只二极管组合件。
就原理而言，从输入沟通中得到输出的直流是整流。以整流电流的大小〔100mA〕作为界限通常把输出电流大于100mA的叫整流。面结型，工作频率小于KHz，最高反向电压从25伏至3000伏分A～X共22档。分类如下：①硅半导体整流二极管2CZ型、②硅桥式整流器QL型、③用于电视机高压硅堆工作频率近100KHz的2CLG型。
大多数二极管能作为限幅使用。也有象保护仪表用和高频齐纳管那样的专用限幅二极管。为了使这些
二极管具有特别强的限制锋利振幅的作用，通常使用硅材料制造的二极管。也有这样的组件出售：依据限制电压需要，把假设干个必要的整流二极管串联起来形成一个整体。
通常指的是环形调制专用的二极管。就是正向特性全都性好的四个二极管的组合件。即使其它变容二极管也有调制用途，但它们通常是直接作为调频用。
使用二极管混频方式时，在500～10,000Hz的频率范围内，多承受肖特基型和点接触型二极管。
用二极管放大，大致有依靠隧道二极管和体效应二极管那样的负阻件的放大，以及用变容二极管的参量放大。因此，放大用二极管通常是指隧道二极管、体效应二极管和变容二极管。
有在小电流下〔10mA程度〕使用的规律运算和在数百毫安下使用的磁芯鼓励用开关二极管。小电流的开关二极管通常有点接触型和键型等二极管，也有在高温下还可能工作的硅集中型、台面型和平面型二极管。开关二极管的特长是开关速度快。而肖特基型二极管的开关时间特短，因而是抱负的开关二极管。2AK型点接触为中速开关电路用；2CK型平面接触为高速开关电路用；用于开关、限幅、钳位或检波等电路；肖特基〔SBD〕硅大电流开关，正向压降小，速度快、效率高。
用于自动频率掌握〔AFC〕和调谐用的小功率二极管称变容二极管。日本厂商方面也有其它很多叫法。通过施加反向电压，使其PN结的静电容量发生变化。因此，被使用于自动频率掌握、扫描振荡、调频和调谐等用途。通常，虽然是承受硅的集中型二极管，但是也可承受合金集中型、外延结合型、双重集中型等特别制作的二极管，由于这些二极管对于电压而言，其静电容量的变化率特别大。结电容随反向电压VR变化，取代可变电容，用作调谐回路、振荡电路、锁相环路，常用于电视机高频头的频道转换和调谐电路，多以硅材料制作。
对二极管的频率倍增作用而言，有依靠变容二极管的频率倍增和依靠阶跃〔即急变〕二极管的频率倍增。频率倍增用的变容二极管称为可变电抗器，可变电抗器虽然和自动频率掌握用的变容二极管的工作原理一样，但电抗器的构造却能承受大功率。阶跃二极管又被称为阶跃恢复二极管，从导通切换到关闭时的反向恢复时间trr短，因此，其特长是急速地变成关闭的转移时间显著地短。假设对阶跃二极管施加正弦波，那么，因tt〔转移时间〕短，所以输出波形急骤地被夹断，故能产生很多高频谐波。
是代替稳压电子二极管的产品。被制作成为硅的集中型或合金型。是反向击穿特性曲线急骤变化的二
极管。作为掌握电压和标准电压使用而制作的。二极管工作时的端电压〔又称齐纳电压〕从3V左右到150V，按每隔10%，能划分成很多等级。在功率方面，也有从200mW至100W以上的产品。工作在反向击穿状态，硅材料制作，动态电阻RZ很小，一般为2CW型；将两个互补二极管反向串接以削减温度系数则为2DW型。
这是在P区和N区之间夹一层本征半导体〔或低浓度杂质的半导体〕构造的晶体二极管。PIN中的I是quot;本征quot;意义的英文略语。当其工作频率超过100MHz时，由于少数载流子的存贮效应和quot;本征quot;层中的渡越时间效应，其二极管失去整流作用而变成阻抗元件，并且，其阻抗值随偏置电压而转变。在零偏置或直流反向偏置时，quot;本征quot;区的阻抗很高；在直流正向偏置时，由于载流子注入quot;本征quot;区，而使quot;本征quot;区呈现出低阻抗状态。因此，可以把PIN二极管作为可变阻抗元件使用。它常被应用于高频开关〔即微波开关〕
二年级下册道德与法治教案-第四单元第15课《坚持才会有收获》第二课时人教部编版.docx
小学数学新人教版五年级下册第五单元图形的运动(三)测试题(答案解析.pdf
小升初语文模拟冲刺试卷(四) - 2024-2025学年小升初模拟演练冲刺试卷 A.pdf
JC∕T 1057-2021 玻璃纤维增强水泥(GRC)外墙板.pdf
原创力文档创建于2008年，本站为文档C2C交易模式，即用户上传的文档直接分享给其他用户（可下载、阅读），本站只是中间服务平台，本站所有文档下载所得的收益归上传人所有。原创力文档是网络服务平台方，若您的权利被侵害，请发链接和相关诉求至 电线) ，上传者