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东芝推出新一代高速二极管型功率MOSFET—CQ9电子-游戏官方网站
东芝推出新一代高速二极管型功率MOSFET
栏目:公司新闻 发布时间:2024-11-04
 DTMOSVI系列中的两款明星产品——TK042N65Z5和TK095N65Z5,采用了先进的TO-247封装技术,在650V的工作电压下展现了卓越的N沟道功率MOSFET性能。这两款产品不仅继承了东芝DTMOSIV系列(DTMOSIV(H  据东芝介绍,新推出的DTMOSVI(HSD)工艺有效改善了反向恢复特性,这意味着在开关电源的应用中,新器件能更快速地完成反向电流的切换,从而提高了电源系

  DTMOSVI系列中的两款明星产品——TK042N65Z5和TK095N65Z5,采用了先进的TO-247封装技术,在650V的工作电压下展现了卓越的N沟道功率MOSFET性能。这两款产品不仅继承了东芝DTMOSIV系列(DTMOSIV(H

  据东芝介绍,新推出的DTMOSVI(HSD)工艺有效改善了反向恢复特性,这意味着在开关电源的应用中,新器件能更快速地完成反向电流的切换,从而提高了电源系统的整体效率。同时,在高温环境下,新器件的漏极截止电流更低,这有助于减少电源系统的热损耗,提高系统的稳定性和可靠性。

  值得一提的是,东芝计划在未来进一步扩展DTMOSVI(HSD)的产品线,以满足更多不同应用场景的需求。新器件将采用包括TO-220和TO-220SIS通孔型封装,以及TOLL和DFN 8×8表贴型封装在内的多种封装形式,为客户提供更多的选择空间。

  业内专家分析认为,东芝此次推出的DTMOSVI系列高速二极管型功率MOSFET,不仅在技术上取得了重要突破,还积极响应了当前市场对高效、稳定电源系统的迫切需求。这一创新产品的推出,将进一步巩固东芝在功率半导体市场的领先地位,并推动整个行业的技术进步。

  随着数据中心和光伏市场的快速发展,对高效、可靠的电源系统的需求日益增长。东芝此次推出的DTMOSVI系列高速二极管型功率MOSFET,无疑为这些领域提供了更加优秀的解决方案。未来,我们期待东芝在功率半导体领域继续发挥创新引领作用,为行业发展注入更多活力。

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