电压时片刻之后，耗尽层膨胀，空穴和电子不再移动。 从 C 到 D 的时间是 trr。
电压时片刻之后，耗尽层膨胀，空穴和电子不再移动。 从 C 到 D 的时间是 trr
才成为(-I0) , 如图1 示。ts 称为储存时间,tf 称为下降时间。tr=ts+tf 称为
，即在P型硅材料和N型硅材料之间增加基区I，形成PIN硅片。由于基区很薄，
荷很小，不仅大大降低了trr值，而且瞬态正向压降也减小了，使管子可以承受很高的
Trr参数外，还可以分析If、Ir、Ta、Tb、Qrr。三 DI-1000-IV参数
，不像PIN整流器是多数载流子器件，因此没有少数载流子在正向工作模式期间存储在漂移层中，导致零
MUR860D与高频开关器件协同工作，最大限度地减少高频逆变电路中开关器件引起的过压尖峰、高频干扰
尖峰。那到底哪个图是对的呢？其实，这个差异，仅仅只是电路的不同。如果看明白前面说的
的形成过程，这个图也就能理解了。前面画的波形，我们的电路中串联有电阻，当没有这个电阻的时候，或者说
。电源更紧凑，功率密度更高，可以提高开关频率，功耗更低。SiC技术之所以能够提供这些优点是因为在正常导通器件，不会累积
，且具有不受温度影响的开关特性和出色的散热性能，因此被视为下一代功率半导体。
的水平已达到2500A/3000V，300ns。以上资料是由凌讯电子提供参考
中减小损耗和电磁干扰，可靠性高。可应用于低电压整流，高频转换开关，开关电源、高频直流转换器、续流和极性保护等。
通过零点由正向转换到规定低值的时间间隔。它是衡量高频续流及整流器件性能的重要技术指标。在快
HFD15U12SC2可完全替换DSEI12-12A/STTH1512
转换到规定低值的时间间隔。它是衡量高频续流及整流器件性能的重要技术指标。
荷很小，不仅大大减小了trr值，还降低了瞬态正向压降，使管子能承受很高的
通过零点由正向转换到规定低值的时间间隔，它是衡量高频续流及整流器件性能的重要技术指标。在快
通过零点由正向转换到规定低值的时间间隔，它是衡量高频续流及整流器件性能的重要技术指标。在快
不同，它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I，构成P-I-N硅片。由于基区很薄，
一样具有单向导电性，主要应用于开关电源、脉宽调制器、变频器等电子电路中，主要作为高频
一样具有单向导电性，主要应用于开关电源、脉宽调制器、变频器等电子电路中，主要作为高频
一般分为自身原因和外部原因，其自身原因是由加工工艺造成的，原材料的差异以及制造过程中各个工段的分散性，都或多或少造成了
，在开关电源、脉宽调制器(PWM)、不间电源(UPS)、高频加热、交流电
，即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I，构成PIN硅片。因基区很薄，
较大，耐压低，一般低于150V，多用于低电压场合。这两种管子通常用于开关电源。肖特基
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时间极短(可以小到几纳秒)，正向导通压降仅0.4V左右。其多用作高频、低压、大
荷，这两项指标是衡量高频整流器件性能的重要技术指标。 面对高频应用，人们总是希望trr更短，
引入到直流开关电源的PFC电路中，可以在不改变电路拓扑和工作方式的情况下，有效解决硅