东芝第3代SiC肖特基势垒二极管产品线 V新成员，其将助力工业电源设备实现高效率东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，最新推出第3代碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBD）产品线 V产品，为其面向太阳能逆变器电动汽车充电站和开关电源等工业设备降低功耗。东芝现已开始提供该系列的十款新产品，其中包括采用TO-247-2L封装的五款产品和采用TO-247封装的五款产品。

　　最新TRSxxx120Hxx系列为1200 V产品，其采用东芝第3代650 V SiC SBD的改进型结势垒肖特基（JBS）结构[1]。在结势垒中使用新型金属，有助于这些新产品实现业界领先的[2]1.27 V（典型值）低正向电压、低总电容电荷和低反向电流。这可显著降低较大电源应用中的设备功耗。

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　　东芝将继续壮大其SiC电源器件的产品线，并将一如既往地专注于提高可降低工业电源设备功耗的效率。

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