项，不仅在形式和深度上焕然一新，而且分类更加科学全面，产业触达程度更深、行业影响力持续扩大。本届评委会由半导体投资联盟超100
碳化硅作为一种高性能的半导体材料，在汽车、储能等市场中具有广泛的应用前景。碳化硅MOSFET可实现更高的开关频率并减小电感、电容器、滤波器和变压器等组件的尺寸，能够提升系统效率和性能，增强可靠性，降低成本等。据统计机构数据显示，2023年全球碳化硅MOSFET模块市场规模为16.93亿美元，预计2029年将达到92.18亿美元，未来几年复合年均增长率（CAGR）为32.6%，市场发展速度飞快。
在国产碳化硅MOSFET模块领域，凌锐半导体已经开始展露头角，精准定位高端车规级MOSFET，对标国际一线大厂产品。
凌锐半导体成立于2022年8月，是一家专注于第三代半导体碳化硅（SiC）车规级芯片研发与销售的高科技公司。公司总部位于上海，设有中国与欧洲两个研发中心、并在深圳设立市场与应用中心，核心团队由来自于英飞凌等国际一线大厂的核心功率器件团队的海归专家与外国专家组成。
凌锐半导体聚焦碳化硅功率芯片器件赛道，以绿色环保为使命，为电力电子、新能源和电动汽车等新兴行业赋能增效。公司与上下游合作伙伴以及新能源和汽车行业客户建立了紧密的合作关系。
凌锐半导体推出了众多碳化硅MOSFET新品，包括650V、1200V、1700V、2000V、3300V系列，可应用于工业级和车规级，跟目前国内主要同行相比，产品性能优异，开关损耗更低、栅氧质量更好、而且兼容15V和18V驱动，能够满足高可靠性、高性能的应用需求。相关亮点特性如下：
跟目前国内主要同行相比更低的开关损耗：凌锐产品的开关损耗大幅降低15%，功率模块发热量减少，将降低对功率模块散热器和整个变流器冷却系统的要求，从而带来体积和重量的减少。同时，可以在更高频率下切换，将降低电路中变压器、电容、电抗器等无源元件的体积和重量，从而优化整体的拓扑结构和重量管理。
更好的栅氧质量：卓越的可靠性和质量，是SiC MOSFET大规模应用的前提条件之一。凌锐产品的栅氧耐压为业界优秀水平，有较大的栅氧工作电压范围，且有较小的VSD，体二极管续流时有显著小的续流损耗，从而保护栅氧免遭应力而导致的失效或退化。
兼容15V和18V驱动：考虑到各种应用场景的特殊性和兼容性，公司对产品设计进行了多次迭代优化，从而能够同时兼容15V和18V栅极驱动电压。在15V的驱动下，凌锐产品能够与友商相互兼容；而在18V的驱动下，客户则能充分发挥凌锐产品的性能优势。
凌锐半导体碳化硅MOSFET产品已经通过上市公司大客户储能项目的验证，并且收到了10万只的订单，已达量产阶段。
凌锐半导体研发人员占比超50%，已获得“一种沟槽型MOSFET器件及其制造方法”核心发明专利。该公司于2023年9月完成Pre-A轮融资。
展望未来，凌锐半导体将继续加大在功率器件领域的研发投入，并保持与合作伙伴的密切交流与合作，共同推动功率器件领域的大力发展，立志成为车规级第三代半导体的领导厂商，为中国半导体的崛起贡献力量。
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